半导体发光器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201410602442.3

申请日：

2012-01-19

公开(公告)号：

CN104465935A

公开(公告)日：

2015-03-25

发明(设计)人：

勝野弘三木聪岡俊行布上真也

申请人：

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

H01L3344

IPC分类号：

H01L3338

代理机构：

北京市中咨律师事务所 11247

代理人：

杨晓光;于静

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2015-03-25	公开	公开
2017-04-12	授权	授权
2018-10-16	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移 IPC(主分类):H01L 33/44 登记生效日:20180921 变更事项:专利权人变更前权利人:东芝电子元件及存储装置株式会社变更后权利人:三星电子株式会社变更事项:地址变更前权利人:日本东京都变更后权利人:韩国京畿道
2015-04-22	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101607347496 IPC(主分类):H01L 33/44 专利申请号:2014106024423 申请日:20120119
2018-07-20	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移 IPC(主分类):H01L 33/44 登记生效日:20180703 变更事项:专利权人变更前权利人:株式会社东芝变更后权利人:东芝电子元件及存储装置株式会社变更事项:地址变更前权利人:日本东京都变更后权利人:日本东京都

共 50 条

[1]

半导体发光器件 [P].

勝野弘 ;

三木聪 ;

岡俊行 ;

布上真也 .

中国专利 :CN102790165B ,2012-11-21

[2]

半导体发光器件和具有半导体发光器件的半导体发光设备 [P].

沈载仁 ;

宋尚烨 ;

河宗勋 ;

金起范 ;

崔丞佑 .

中国专利 :CN105633257B ,2016-06-01

[3]

半导体发光器件 [P].

李尚烈 .

中国专利 :CN102017195A ,2011-04-13

[4]

半导体发光器件 [P].

丁焕熙 ;

李尚烈 ;

宋俊午 ;

文智炯 ;

崔光基 .

中国专利 :CN102820399A ,2012-12-12

[5]

半导体发光器件 [P].

朴炯兆 .

中国专利 :CN102751405A ,2012-10-24

[6]

半导体发光器件 [P].

朴炯兆 .

中国专利 :CN101807642A ,2010-08-18

[7]

半导体发光器件 [P].

丸田秀昭 .

中国专利 :CN101246944B ,2008-08-20

[8]

半导体发光器件 [P].

全水根 ;

朴恩铉 ;

金勈德 .

中国专利 :CN108598229A ,2018-09-28

[9]

半导体发光器件 [P].

崔繁在 ;

金裕承 ;

李进馥 .

中国专利 :CN102217105B ,2011-10-12

[10]

半导体发光器件 [P].

尹柱宪 ;

吉正焕 ;

金台勋 ;

宋和龙 ;

沈载仁 .

韩国专利 :CN110085716B ,2024-12-17

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