生长在Cu衬底的AlN薄膜

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN201420290387.4

申请日：

2014-05-30

公开(公告)号：

CN203983318U

公开(公告)日：

2014-12-03

发明(设计)人：

李国强

申请人：

申请人地址：

510000 广东省广州市广州高新技术产业开发区科学城南翔一路62号厂房

IPC主分类号：

H01L3302

IPC分类号：

H01L310248

代理机构：

广州市越秀区哲力专利商标事务所(普通合伙) 44288

代理人：

汤喜友

法律状态：

专利申请权、专利权的转移

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-04-07	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移 IPC(主分类):H01L 33/02 登记生效日:20200319 变更事项:专利权人变更前权利人:广州市众拓光电科技有限公司变更后权利人:广州市艾佛光通科技有限公司变更事项:地址变更前权利人:510000 广东省广州市广州高新技术产业开发区科学城南翔一路62号厂房变更后权利人:510000 广东省广州市黄埔区金中路23号自编一栋办公区303房

共 50 条

[1]

生长在Zr衬底上的AlN薄膜 [P].

李国强 ;

刘作莲 ;

王文樑 ;

杨为家 ;

林云昊 ;

周仕忠 ;

钱慧荣 .

中国专利 :CN204130575U ,2015-01-28

[2]

生长在W衬底上的AlN薄膜 [P].

李国强 ;

刘作莲 ;

王文樑 ;

杨为家 ;

林云昊 ;

周仕忠 ;

钱慧荣 .

中国专利 :CN204067412U ,2014-12-31

[3]

生长在Cu衬底的GaN薄膜 [P].

李国强 .

中国专利 :CN204204895U ,2015-03-11

[4]

生长在Cu衬底的AlN薄膜及其制备方法和应用 [P].

李国强 .

中国专利 :CN103996615A ,2014-08-20

[5]

生长在金属Ag衬底上的AlN薄膜 [P].

李国强 .

中国专利 :CN202996884U ,2013-06-12

[6]

一种生长在金属Al衬底上的AlN薄膜 [P].

李国强 .

中国专利 :CN204189815U ,2015-03-04

[7]

一种生长在金属铝衬底上的AlN薄膜 [P].

李国强 .

中国专利 :CN204257684U ,2015-04-08

[8]

生长在蓝宝石衬底上的高均匀性AlN薄膜 [P].

李国强 .

中国专利 :CN203895487U ,2014-10-22

[9]

生长在Cu衬底的LED外延片 [P].

李国强 .

中国专利 :CN203950831U ,2014-11-19

[10]

生长在玻璃衬底上的GaN薄膜 [P].

李国强 ;

高芳亮 ;

张曙光 .

中国专利 :CN206422089U ,2017-08-18

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