生长在Zr衬底上的AlN薄膜

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN201420397546.0

申请日：

2014-07-17

公开(公告)号：

CN204130575U

公开(公告)日：

2015-01-28

发明(设计)人：

李国强刘作莲王文樑杨为家林云昊周仕忠钱慧荣

申请人：

申请人地址：

510640 广东省广州市天河区五山路381号

IPC主分类号：

H01L3302

IPC分类号：

H01L3332

代理机构：

广州市华学知识产权代理有限公司 44245

代理人：

陈文姬

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2015-01-28	授权	授权

共 50 条

[1]

生长在W衬底上的AlN薄膜 [P].

李国强 ;

刘作莲 ;

王文樑 ;

杨为家 ;

林云昊 ;

周仕忠 ;

钱慧荣 .

中国专利 :CN204067412U ,2014-12-31

[2]

生长在Zr衬底上的AlN薄膜及其制备方法、应用 [P].

李国强 ;

刘作莲 ;

王文樑 ;

杨为家 ;

林云昊 ;

周仕忠 ;

钱慧荣 .

中国专利 :CN104134725A ,2014-11-05

[3]

生长在Zr衬底上的GaN薄膜 [P].

李国强 ;

王文樑 ;

杨为家 ;

刘作莲 ;

林云昊 ;

周仕忠 ;

钱慧荣 .

中国专利 :CN204130576U ,2015-01-28

[4]

生长在金属Ag衬底上的AlN薄膜 [P].

李国强 .

中国专利 :CN202996884U ,2013-06-12

[5]

生长在Cu衬底的AlN薄膜 [P].

李国强 .

中国专利 :CN203983318U ,2014-12-03

[6]

一种生长在金属Al衬底上的AlN薄膜 [P].

李国强 .

中国专利 :CN204189815U ,2015-03-04

[7]

一种生长在金属铝衬底上的AlN薄膜 [P].

李国强 .

中国专利 :CN204257684U ,2015-04-08

[8]

生长在蓝宝石衬底上的高均匀性AlN薄膜 [P].

李国强 .

中国专利 :CN203895487U ,2014-10-22

[9]

生长在W衬底上的AlN薄膜及其制备方法、应用 [P].

李国强 ;

刘作莲 ;

王文樑 ;

杨为家 ;

林云昊 ;

周仕忠 ;

钱慧荣 .

中国专利 :CN104143596A ,2014-11-12

[10]

生长在Zr衬底上的LED外延片 [P].

李国强 ;

王文樑 ;

杨为家 ;

刘作莲 ;

林云昊 ;

周仕忠 ;

钱慧荣 .

中国专利 :CN203983321U ,2014-12-03

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