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生长在Zr衬底上的AlN薄膜及其制备方法、应用

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN201410342731.4
申请日：
2014-07-17
公开(公告)号：
CN104134725A
公开(公告)日：
2014-11-05
发明(设计)人：
李国强 刘作莲 王文樑 杨为家 林云昊 周仕忠 钱慧荣
申请人：
申请人地址：
510640 广东省广州市天河区五山路381号
IPC主分类号：
H01L3302
IPC分类号：
H01L3300
代理机构：
广州市华学知识产权代理有限公司 44245
代理人：
陈文姬
法律状态：
公开
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2014-11-05 公开 公开
2014-12-10 实质审查的生效 实质审查的生效 号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101590938575 IPC(主分类):H01L 33/02 专利申请号:2014103427314 申请日:20140717
2017-06-30 发明专利申请公布后的驳回 发明专利申请公布后的驳回 号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101754635687 IPC(主分类):H01L 33/02 专利申请号:2014103427314 申请公布日:20141105
共 50 条
[1]
生长在Zr衬底上的AlN薄膜 [P]. 
李国强 ;
刘作莲 ;
王文樑 ;
杨为家 ;
林云昊 ;
周仕忠 ;
钱慧荣 .
中国专利 :CN204130575U ,2015-01-28
[2]
生长在W衬底上的AlN薄膜及其制备方法、应用 [P]. 
李国强 ;
刘作莲 ;
王文樑 ;
杨为家 ;
林云昊 ;
周仕忠 ;
钱慧荣 .
中国专利 :CN104143596A ,2014-11-12
[3]
生长在金属Ag衬底上的AlN薄膜及其制备方法、应用 [P]. 
李国强 .
中国专利 :CN102945898B ,2013-02-27
[4]
生长在W衬底上的AlN薄膜 [P]. 
李国强 ;
刘作莲 ;
王文樑 ;
杨为家 ;
林云昊 ;
周仕忠 ;
钱慧荣 .
中国专利 :CN204067412U ,2014-12-31
[5]
生长在Zr衬底上的GaN薄膜及制备方法、应用 [P]. 
李国强 ;
王文樑 ;
杨为家 ;
刘作莲 ;
林云昊 ;
周仕忠 ;
钱慧荣 .
中国专利 :CN104134726A ,2014-11-05
[6]
生长在Zr衬底上的GaN薄膜 [P]. 
李国强 ;
王文樑 ;
杨为家 ;
刘作莲 ;
林云昊 ;
周仕忠 ;
钱慧荣 .
中国专利 :CN204130576U ,2015-01-28
[7]
生长在Cu衬底的AlN薄膜及其制备方法和应用 [P]. 
李国强 .
中国专利 :CN103996615A ,2014-08-20
[8]
生长在金属Ag衬底上的AlN薄膜 [P]. 
李国强 .
中国专利 :CN202996884U ,2013-06-12
[9]
生长在Cu衬底的AlN薄膜 [P]. 
李国强 .
中国专利 :CN203983318U ,2014-12-03
[10]
一种生长在Si衬底上的AlN薄膜及其制备方法和应用 [P]. 
李国强 .
中国专利 :CN103022295A ,2013-04-03
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