生长在Zr衬底上的GaN薄膜及制备方法、应用

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201410342740.3

申请日：

2014-07-17

公开(公告)号：

CN104134726A

公开(公告)日：

2014-11-05

发明(设计)人：

李国强王文樑杨为家刘作莲林云昊周仕忠钱慧荣

申请人：

申请人地址：

510640 广东省广州市天河区五山路381号

IPC主分类号：

H01L3302

IPC分类号：

H01L3332

代理机构：

广州市华学知识产权代理有限公司 44245

代理人：

陈文姬

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2014-11-05	公开	公开
2014-12-10	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101590934045 IPC(主分类):H01L 33/02 专利申请号:2014103427403 申请日:20140717
2018-01-09	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L 33/02 申请公布日:20141105

共 50 条

[1]

生长在Zr衬底上的GaN薄膜 [P].

李国强 ;

王文樑 ;

杨为家 ;

刘作莲 ;

林云昊 ;

周仕忠 ;

钱慧荣 .

中国专利 :CN204130576U ,2015-01-28

[2]

生长在Zr衬底上的AlN薄膜 [P].

李国强 ;

刘作莲 ;

王文樑 ;

杨为家 ;

林云昊 ;

周仕忠 ;

钱慧荣 .

中国专利 :CN204130575U ,2015-01-28

[3]

生长在Zr衬底上的AlN薄膜及其制备方法、应用 [P].

李国强 ;

刘作莲 ;

王文樑 ;

杨为家 ;

林云昊 ;

周仕忠 ;

钱慧荣 .

中国专利 :CN104134725A ,2014-11-05

[4]

生长在W衬底上的GaN薄膜及其制备方法、应用 [P].

李国强 ;

王文樑 ;

刘作莲 ;

杨为家 ;

林云昊 ;

周仕忠 ;

钱慧荣 .

中国专利 :CN104157755A ,2014-11-19

[5]

生长在玻璃衬底上的GaN薄膜 [P].

李国强 ;

高芳亮 ;

张曙光 .

中国专利 :CN206422089U ,2017-08-18

[6]

生长在W衬底上的GaN薄膜 [P].

李国强 ;

王文樑 ;

刘作莲 ;

杨为家 ;

林云昊 ;

周仕忠 ;

钱慧荣 .

中国专利 :CN204067411U ,2014-12-31

[7]

生长在Si衬底上的GaN薄膜及其制备方法 [P].

请求不公布姓名 .

中国专利 :CN115148794B ,2025-09-05

[8]

生长在Si衬底上的GaN薄膜及其制备方法 [P].

不公告发明人 .

中国专利 :CN115148794A ,2022-10-04

[9]

生长在玻璃衬底上的GaN薄膜及其制备方法 [P].

李国强 ;

高芳亮 ;

张曙光 .

中国专利 :CN106601887A ,2017-04-26

[10]

生长在Cu衬底的GaN薄膜 [P].

李国强 .

中国专利 :CN204204895U ,2015-03-11

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