一种垂直结构电极氮化镓发光芯片及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201110196400.0

申请日：

2011-07-12

公开(公告)号：

CN102290514A

公开(公告)日：

2011-12-21

发明(设计)人：

马福

申请人：

申请人地址：

111200 辽宁省辽阳县首山乡后杠村3组

IPC主分类号：

H01L3338

IPC分类号：

H01L3300

代理机构：

代理人：

法律状态：

公开

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2011-12-21	公开	公开
2015-03-11	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1603 号牌文件序号:101712012116 IPC(主分类):H01L 33/38 专利申请号:2011101964000 申请公布日:20111221

共 50 条

[1]

垂直结构氮化镓发光二极管芯片及其制备方法 [P].

张昊翔 ;

金豫浙 ;

陈立人 ;

李东昇 ;

江忠永 .

中国专利 :CN102157649A ,2011-08-17

[2]

一种氮化镓芯片的电极结构 [P].

尹宝堂 .

中国专利 :CN211605179U ,2020-09-29

[3]

一种垂直结构氮化镓发光二极管芯片及其制造方法 [P].

王钢 ;

王孟源 ;

童存声 ;

雷秀铮 ;

江灏 .

中国专利 :CN102255026A ,2011-11-23

[4]

氮化镓基垂直结构发光二极管电极结构的制作方法 [P].

郭恩卿 ;

刘志强 ;

汪炼成 ;

伊晓燕 ;

王莉 ;

王国宏 .

中国专利 :CN101937957A ,2011-01-05

[5]

氮化镓基垂直结构发光二极管桥联电极制备方法 [P].

郭恩卿 ;

刘志强 ;

汪炼成 ;

伊晓燕 ;

王莉 ;

王国宏 .

中国专利 :CN101937956A ,2011-01-05

[6]

一种制作氮化镓发光二极管芯片N电极的方法 [P].

何晓光 ;

黄光辉 .

中国专利 :CN1466227A ,2004-01-07

[7]

一种新型氮化镓LED芯片电极结构的制作方法 [P].

万金平 ;

任强 ;

万义朋 ;

何民华 .

中国专利 :CN102064249B ,2011-05-18

[8]

电极结构、氮化镓基半导体器件及其制造方法 [P].

李政烨 ;

鲜于文旭 ;

文彰烈 ;

朴用永 ;

梁佑荣 ;

黄仁俊 .

中国专利 :CN103094334A ,2013-05-08

[9]

一种氮化镓基发光二极管芯片及其制备方法 [P].

杨瑞霞 ;

张晓洁 ;

王静辉 ;

田汉民 .

中国专利 :CN103346227B ,2013-10-09

[10]

垂直结构LED芯片及其制造方法 [P].

张宇 ;

李起鸣 ;

徐慧文 .

中国专利 :CN104766912A ,2015-07-08

← 1 2 3 4 5 →