一种新型氮化镓LED芯片电极结构的制作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201010579996.8

申请日：

2010-12-09

公开(公告)号：

CN102064249B

公开(公告)日：

2011-05-18

发明(设计)人：

万金平任强万义朋何民华

申请人：

申请人地址：

330096 江西省南昌市高新开发区京东大道168号

IPC主分类号：

H01L3300

IPC分类号：

H01L3336

代理机构：

南昌市平凡知识产权代理事务所 36122

代理人：

姚伯川

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2011-07-20	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101088113969 IPC(主分类):H01L 33/00 专利申请号:2010105799968 申请日:20101209
2012-11-07	授权	授权
2021-11-19	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 33/00 申请日:20101209 授权公告日:20121107 终止日期:20201209
2011-05-18	公开	公开
2015-08-05	专利实施许可合同备案的生效、变更及注销	专利实施许可合同备案的生效号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101717709900 IPC(主分类):H01L 33/00 专利申请号:2010105799968 专利号:ZL2010105799968 合同备案号:2015360000072 让与人:江西联创光电科技股份有限公司受让人:江西联创致光科技有限公司发明名称:一种新型氮化镓LED芯片电极结构的制作方法申请日:20101209 申请公布日:20110518 授权公告日:20121107 许可种类:独占许可备案日期:20150610

共 50 条

[1]

一种氮化镓基功率型LED芯片制作方法 [P].

万金平 ;

何民华 ;

万义朋 ;

任强 .

中国专利 :CN102214746A ,2011-10-12

[2]

一种氮化镓器件电极结构的制作方法及氮化镓器件 [P].

谢春诚 ;

陈建国 ;

刘蓬 .

中国专利 :CN105355546A ,2016-02-24

[3]

一种氮化镓芯片的电极结构 [P].

尹宝堂 .

中国专利 :CN211605179U ,2020-09-29

[4]

一种新型结构的LED芯片及其制作方法 [P].

廖伟 ;

秦坤 ;

李有群 ;

廉鹏 .

中国专利 :CN103972350A ,2014-08-06

[5]

一种氮化镓LED外延片制作方法 [P].

徐平 ;

王建长 ;

周奇华 .

中国专利 :CN118016772A ,2024-05-10

[6]

垂直结构氮化镓基LED的制作方法 [P].

李云 ;

王静辉 ;

任继民 ;

苏银涛 ;

肖国华 ;

徐海洲 ;

李兴 .

中国专利 :CN102185046A ,2011-09-14

[7]

一种垂直结构电极氮化镓发光芯片及其制造方法 [P].

马福 .

中国专利 :CN102290514A ,2011-12-21

[8]

具有缓冲电极结构的氮化镓半导体芯片 [P].

吴质朴 ;

马学进 .

中国专利 :CN1828955A ,2006-09-06

[9]

一种石墨烯-氮化硼-氮化镓LED芯片及其制作方法 [P].

邱彩玉 ;

丁雯 ;

张新娟 ;

徐一梦 .

中国专利 :CN104966771A ,2015-10-07

[10]

一种基于氮化镓发光材料的LED显示矩阵及其制作方法 [P].

万金平 ;

曹喜平 ;

刘淑梅 ;

龚振 .

中国专利 :CN101630471B ,2010-01-20

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