一种氮化镓基功率型LED芯片制作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201110157236.2

申请日：

2011-06-13

公开(公告)号：

CN102214746A

公开(公告)日：

2011-10-12

发明(设计)人：

万金平何民华万义朋任强

申请人：

申请人地址：

330006 江西省南昌市高新开发区京东大道168号

IPC主分类号：

H01L3300

IPC分类号：

H01L3336

代理机构：

南昌市平凡知识产权代理事务所 36122

代理人：

姚伯川

法律状态：

专利实施许可合同备案的生效、变更及注销

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2015-03-18	专利实施许可合同备案的生效、变更及注销	专利实施许可合同备案的生效号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101711502753 IPC(主分类):H01L 33/00 专利申请号:2011101572362 专利号:ZL2011101572362 合同备案号:2014440020411 让与人:江西联创光电科技股份有限公司受让人:深圳市联志光电科技有限公司发明名称:一种氮化镓基功率型LED芯片制作方法申请日:20110613 申请公布日:20111012 授权公告日:20121003 许可种类:独占许可备案日期:20141210
2021-05-28	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 33/00 申请日:20110613 授权公告日:20121003 终止日期:20200613
2011-10-12	公开	公开
2012-10-03	授权	授权

共 50 条

[1]

氮化镓基功率开关器件及其制作方法 [P].

康玄武 ;

刘新宇 ;

黄森 ;

王鑫华 ;

魏珂 .

中国专利 :CN106601798A ,2017-04-26

[2]

一种新型氮化镓LED芯片电极结构的制作方法 [P].

万金平 ;

任强 ;

万义朋 ;

何民华 .

中国专利 :CN102064249B ,2011-05-18

[3]

垂直结构氮化镓基LED的制作方法 [P].

李云 ;

王静辉 ;

任继民 ;

苏银涛 ;

肖国华 ;

徐海洲 ;

李兴 .

中国专利 :CN102185046A ,2011-09-14

[4]

氮化镓基LED芯片立式封装的方法 [P].

谢海忠 ;

张逸韵 ;

卢鹏志 ;

王晓桐 ;

杨华 ;

李璟 ;

伊晓燕 ;

王国宏 ;

李晋闽 .

中国专利 :CN102569566A ,2012-07-11

[5]

氮化镓基LED芯片及制造方法 [P].

吴琼 .

中国专利 :CN108574027B ,2018-09-25

[6]

氮化镓基LED芯片及制造方法 [P].

吴琼 ;

唐进强 .

中国专利 :CN108110111A ,2018-06-01

[7]

氮化镓基倒装LED芯片 [P].

田洪涛 ;

陈祖辉 .

中国专利 :CN205488192U ,2016-08-17

[8]

一种全彩氮化镓基LED芯片结构 [P].

郝锐 ;

易翰翔 ;

刘洋 ;

许徳裕 .

中国专利 :CN205282497U ,2016-06-01

[9]

垂直型氮化镓基逆导功率器件及制作方法 [P].

毛维 ;

张占军 ;

杨翠 ;

张进成 ;

郝跃 .

中国专利 :CN120711788A ,2025-09-26

[10]

氮化镓基纵向逆导型功率器件及制作方法 [P].

毛维 ;

张占军 ;

杨翠 ;

张进成 ;

郝跃 .

中国专利 :CN120711787A ,2025-09-26

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