氮化镓基LED芯片及制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201711439866.2

申请日：

2017-12-27

公开(公告)号：

CN108110111A

公开(公告)日：

2018-06-01

发明(设计)人：

吴琼唐进强

申请人：

申请人地址：

350109 福建省福州市闽侯县南屿镇福州市生物医药和机电产业园区

IPC主分类号：

H01L3322

IPC分类号：

H01L3336 H01L3332 H01L3300

代理机构：

福州元创专利商标代理有限公司 35100

代理人：

蔡学俊;丘鸿超

法律状态：

发明专利申请公布后的驳回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-06-26	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L 33/22 申请公布日:20180601
2018-06-26	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 33/22 申请日:20171227
2018-06-01	公开	公开

共 50 条

[1]

氮化镓基LED芯片及制造方法 [P].

吴琼 .

中国专利 :CN108574027B ,2018-09-25

[2]

氮化镓基倒装LED芯片 [P].

田洪涛 ;

陈祖辉 .

中国专利 :CN205488192U ,2016-08-17

[3]

LED芯片及LED芯片制造方法 [P].

请求不公布姓名 ;

请求不公布姓名 ;

请求不公布姓名 ;

请求不公布姓名 .

中国专利 :CN111864026B ,2025-03-18

[4]

LED芯片及LED芯片制造方法 [P].

不公告发明人 .

中国专利 :CN111864026A ,2020-10-30

[5]

垂直结构氮化镓基LED的制作方法 [P].

李云 ;

王静辉 ;

任继民 ;

苏银涛 ;

肖国华 ;

徐海洲 ;

李兴 .

中国专利 :CN102185046A ,2011-09-14

[6]

氮化镓基LED芯片立式封装的方法 [P].

谢海忠 ;

张逸韵 ;

卢鹏志 ;

王晓桐 ;

杨华 ;

李璟 ;

伊晓燕 ;

王国宏 ;

李晋闽 .

中国专利 :CN102569566A ,2012-07-11

[7]

氮化镓晶体、同质外延氮化镓基器件及其制造方法 [P].

马克·P·德维林 ;

朴东实 ;

史蒂文·F·莱博厄夫 ;

拉里·B·罗兰 ;

克里斯蒂·J·纳兰 ;

洪慧聪 ;

彼得·M·桑维克 .

中国专利 :CN100474511C ,2006-03-15

[8]

氮化镓基LED芯片的隔离槽刻蚀方法 [P].

李航 .

中国专利 :CN105336659A ,2016-02-17

[9]

陶瓷衬底的氮化镓基芯片及制造方法 [P].

金木子 ;

彭刚 .

中国专利 :CN102456721A ,2012-05-16

[10]

制造氮化镓基半导体发光器件的方法 [P].

吕寅准 ;

金玄永 ;

宋尚烨 .

中国专利 :CN103426984A ,2013-12-04

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