垂直结构氮化镓基LED的制作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201110088004.6

申请日：

2011-04-08

公开(公告)号：

CN102185046A

公开(公告)日：

2011-09-14

发明(设计)人：

李云王静辉任继民苏银涛肖国华徐海洲李兴

申请人：

申请人地址：

050200 河北省石家庄市鹿泉市高新技术产业园区昌盛大街21号

IPC主分类号：

H01L3300

IPC分类号：

代理机构：

石家庄国为知识产权事务所 13120

代理人：

李荣文

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2011-11-02	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101127316842 IPC(主分类):H01L 33/00 专利申请号:2011100880046 申请日:20110408
2011-09-14	公开	公开
2013-06-19	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101616027477 IPC(主分类):H01L 33/00 专利申请号:2011100880046 申请公布日:20110914

共 50 条

[1]

氮化镓基垂直结构发光二极管电极结构的制作方法 [P].

郭恩卿 ;

刘志强 ;

汪炼成 ;

伊晓燕 ;

王莉 ;

王国宏 .

中国专利 :CN101937957A ,2011-01-05

[2]

氮化镓基LED芯片及制造方法 [P].

吴琼 .

中国专利 :CN108574027B ,2018-09-25

[3]

氮化镓基LED芯片及制造方法 [P].

吴琼 ;

唐进强 .

中国专利 :CN108110111A ,2018-06-01

[4]

氮化镓基垂直器件及其制备方法 [P].

康玄武 ;

孙跃 ;

刘新宇 ;

郑英奎 ;

魏珂 .

中国专利 :CN111009600B ,2020-04-14

[5]

抗静电氮化镓基发光器件及其制作方法 [P].

周武 ;

郑如定 ;

刘榕 ;

张建宝 .

中国专利 :CN101916769A ,2010-12-15

[6]

氮化镓基半导体生长衬底及其制作方法 [P].

庄家铭 ;

徐宸科 ;

黄惠葵 ;

范慧丽 .

中国专利 :CN105633234A ,2016-06-01

[7]

氮化镓基蓝光激光器的制作方法 [P].

李慧 ;

种明 .

中国专利 :CN101132111A ,2008-02-27

[8]

一种垂直结构氮化镓基发光元件的制作方法 [P].

黄少华 ;

曾晓强 ;

吴志强 .

中国专利 :CN102779911A ,2012-11-14

[9]

氮化镓基发光器件的电极体系及其制作方法 [P].

郭金霞 ;

王良臣 ;

梁萌 ;

王莉 ;

黄亚军 ;

伊晓燕 ;

刘志强 .

中国专利 :CN104617202A ,2015-05-13

[10]

一种制作氮化镓基垂直结构LED金属衬底的方法 [P].

孙永健 ;

齐胜利 ;

陈志忠 ;

龙浩 ;

张国义 ;

郝茂盛 ;

潘尧波 ;

朱广敏 .

中国专利 :CN101736374A ,2010-06-16

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