一种半导体器件反向击穿电压测试系统

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201210513098.1

申请日：

2012-12-05

公开(公告)号：

CN103048600A

公开(公告)日：

2013-04-17

发明(设计)人：

詹惠琴姚明生白雷古天祥李硕

申请人：

申请人地址：

611731 四川省成都市高新区（西区）西源大道2006号

IPC主分类号：

G01R3126

IPC分类号：

G01R3112

代理机构：

成都行之专利代理事务所(普通合伙) 51220

代理人：

温利平

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2014-12-24	授权	授权
2018-11-23	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):G01R 31/26 申请日:20121205 授权公告日:20141224 终止日期:20171205
2013-04-17	公开	公开
2013-05-15	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101457129655 IPC(主分类):G01R 31/26 专利申请号:2012105130981 申请日:20121205

共 50 条

[1]

反向击穿电压测试仪和测试设备 [P].

丁盛峰 ;

阮辉 ;

王碧源 .

中国专利 :CN222145157U ,2024-12-10

[2]

具有超高反向击穿电压的氮化镓发光器件 [P].

江风益 ;

王立 ;

方文卿 ;

莫春兰 ;

蒲勇 ;

熊传兵 .

中国专利 :CN101378102A ,2009-03-04

[3]

高击穿电压半导体器件 [P].

曹大为 ;

北村睦美 ;

田村隆博 ;

大西泰彦 .

中国专利 :CN103493207B ,2014-01-01

[4]

具有高击穿电压的半导体器件 [P].

江本孝朗 ;

盐见武夫 .

中国专利 :CN85106895B ,1987-03-11

[5]

一种可提高PN结反向击穿电压的装置 [P].

秦明 ;

张睿 .

中国专利 :CN202434523U ,2012-09-12

[6]

一种可提高PN结反向击穿电压的装置 [P].

秦明 ;

张睿 .

中国专利 :CN102456719B ,2012-05-16

[7]

半导体器件以及改善半导体器件的击穿电压的方法 [P].

E·J·考尼 ;

B·P·O·O·汉娜伊德 ;

S·P·威斯顿 ;

W·A·拉尼 ;

D·P·迈克奥里菲 .

中国专利 :CN104282745B ,2015-01-14

[8]

高反压硅晶体管反向击穿电压测试仪 [P].

黄月华 .

中国专利 :CN203376441U ,2014-01-01

[9]

高反压硅晶体管反向击穿电压测试仪 [P].

黄月华 .

中国专利 :CN103412248A ,2013-11-27

[10]

具有提高的击穿电压的半导体器件 [P].

渡边武人 .

中国专利 :CN1767191A ,2006-05-03

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