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反向击穿电压测试仪和测试设备
被引:0
专利类型
:
实用新型
申请号
:
CN202420625131.8
申请日
:
2024-03-28
公开(公告)号
:
CN222145157U
公开(公告)日
:
2024-12-10
发明(设计)人
:
丁盛峰
阮辉
王碧源
申请人
:
杭州芯云半导体集团有限公司
申请人地址
:
310051 浙江省杭州市滨江区浦沿街道六和路368号一幢(南)一楼F1066室
IPC主分类号
:
G01R31/26
IPC分类号
:
代理机构
:
北京超凡宏宇知识产权代理有限公司 11463
代理人
:
张文娥
法律状态
:
授权
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2024-12-10
授权
授权
共 50 条
[1]
高反压硅晶体管反向击穿电压测试仪
[P].
黄月华
论文数:
0
引用数:
0
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0
黄月华
.
中国专利
:CN203376441U
,2014-01-01
[2]
高反压硅晶体管反向击穿电压测试仪
[P].
黄月华
论文数:
0
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0
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0
黄月华
.
中国专利
:CN103412248A
,2013-11-27
[3]
能测试晶体管反向击穿电压的万用表
[P].
谢淑颖
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谢淑颖
.
中国专利
:CN202794279U
,2013-03-13
[4]
能测试晶体管反向击穿电压的万用表
[P].
许璐
论文数:
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许璐
;
黄大喜
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黄大喜
;
庞凯
论文数:
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庞凯
.
中国专利
:CN202735386U
,2013-02-13
[5]
一种半导体器件反向击穿电压测试系统
[P].
詹惠琴
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詹惠琴
;
姚明生
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姚明生
;
白雷
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白雷
;
古天祥
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古天祥
;
李硕
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李硕
.
中国专利
:CN103048600A
,2013-04-17
[6]
齐纳二极管与雪崩二极管的反向击穿电压测试仪
[P].
周宝善
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周宝善
;
李博
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李博
.
中国专利
:CN213581234U
,2021-06-29
[7]
一种击穿电压测试仪
[P].
董志勇
论文数:
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董志勇
.
中国专利
:CN212207564U
,2020-12-22
[8]
晶圆测试仪和测试设备
[P].
丁盛峰
论文数:
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机构:
杭州芯云半导体集团有限公司
杭州芯云半导体集团有限公司
丁盛峰
;
王碧源
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机构:
杭州芯云半导体集团有限公司
杭州芯云半导体集团有限公司
王碧源
;
任舒沁
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机构:
杭州芯云半导体集团有限公司
杭州芯云半导体集团有限公司
任舒沁
.
中国专利
:CN222420436U
,2025-01-28
[9]
耐电压测试仪击穿电流检定设备
[P].
贾红斌
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贾红斌
;
周秉时
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周秉时
;
李岚
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李岚
.
中国专利
:CN203799006U
,2014-08-27
[10]
漆包线击穿电压测试装置
[P].
李成灵
论文数:
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李成灵
.
中国专利
:CN209784479U
,2019-12-13
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