一种多孔硅材料的制备方法、制备的多孔硅材料及其用途

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201310669731.0

申请日：

2013-12-10

公开(公告)号：

CN103663458B

公开(公告)日：

2014-03-26

发明(设计)人：

苏发兵张在磊王艳红翟世辉

申请人：

申请人地址：

100190 北京市海淀区中关村北二条1号

IPC主分类号：

C01B33021

IPC分类号：

代理机构：

北京品源专利代理有限公司 11332

代理人：

巩克栋

法律状态：

授权

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-09-14	授权	授权
2014-06-04	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101582511590 IPC(主分类):C01B 33/021 专利申请号:2013106697310 申请日:20131210
2014-03-26	公开	公开

共 50 条

[1]

一种多孔硅材料、制备方法及其用途 [P].

苏发兵 ;

张在磊 ;

王艳红 ;

翟世辉 .

中国专利 :CN103588205A ,2014-02-19

[2]

一种多孔硅材料及其制备方法 [P].

苏发兵 ;

张在磊 ;

王艳红 ;

朱永霞 ;

翟世辉 .

中国专利 :CN103508458A ,2014-01-15

[3]

一种多孔硅材料及其制备方法 [P].

苏发兵 ;

任文锋 ;

张在磊 ;

王艳红 .

中国专利 :CN104229804A ,2014-12-24

[4]

一种多孔硅材料及其制备方法和用途 [P].

阳缘 ;

王志勇 ;

刘海为 ;

皮涛 .

中国专利 :CN118255357A ,2024-06-28

[5]

一种多孔硅材料及其制备方法 [P].

罗学涛 ;

黄柳青 ;

段轶丹 ;

赵文瑄 ;

彭昊 ;

罗飞宇 .

中国专利 :CN109455721A ,2019-03-12

[6]

发光多孔硅材料的制备方法 [P].

侯晓远 ;

柳毅 ;

熊祖洪 ;

徐少辉 ;

柳玥 ;

刘小兵 ;

丁训民 .

中国专利 :CN1436878A ,2003-08-20

[7]

发光多孔硅材料的制备方法 [P].

侯晓远 ;

范洪雷 ;

柳毅 ;

熊祖洪 ;

丁训民 .

中国专利 :CN1436879A ,2003-08-20

[8]

多孔硅碳负极材料及其制备方法 [P].

葛传长 ;

仰永军 .

中国专利 :CN112897514B ,2021-06-04

[9]

一种多孔硅复合负极材料及其制备方法 [P].

陈溢镭 ;

何畅雷 ;

夏永高 ;

刘兆平 .

中国专利 :CN106711415B ,2017-05-24

[10]

多孔硅材料的制备方法及由该方法制得的多孔硅材料 [P].

张新倍 ;

陈文荣 ;

蒋焕梧 ;

陈正士 ;

林顺茂 .

中国专利 :CN102485945A ,2012-06-06

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