发光多孔硅材料的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN03115546.4

申请日：

2003-02-27

公开(公告)号：

CN1436878A

公开(公告)日：

2003-08-20

发明(设计)人：

侯晓远柳毅熊祖洪徐少辉柳玥刘小兵丁训民

申请人：

申请人地址：

200433上海市邯郸路220号

IPC主分类号：

C25F312

IPC分类号：

代理机构：

上海正旦专利代理有限公司

代理人：

姚静芳;王福新

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2003-08-20	公开	公开
2005-06-29	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回
2003-11-05	实质审查的生效	实质审查的生效

共 50 条

[1]

发光多孔硅材料的制备方法 [P].

侯晓远 ;

范洪雷 ;

柳毅 ;

熊祖洪 ;

丁训民 .

中国专利 :CN1436879A ,2003-08-20

[2]

电致发光多孔硅材料的制备方法 [P].

杜希文 ;

鲁颖炜 ;

孙景 ;

李竞强 .

中国专利 :CN100347870C ,2006-07-19

[3]

多孔硅材料的制备方法及由该方法制得的多孔硅材料 [P].

张新倍 ;

陈文荣 ;

蒋焕梧 ;

陈正士 ;

林顺茂 .

中国专利 :CN102485945A ,2012-06-06

[4]

一种高光致发光性能的石墨烯‑多孔硅材料及制备方法 [P].

葛道晗 ;

张立强 ;

钱栋梁 ;

程广贵 ;

丁建宁 .

中国专利 :CN106883841A ,2017-06-23

[5]

一种微纳多孔硅材料的制备方法 [P].

李伟 ;

廖家科 ;

吕小龙 ;

钟豪 ;

蒋亚东 .

中国专利 :CN103979485B ,2014-08-13

[6]

在SOI上制备多孔硅的方法 [P].

钟福如 ;

吕小毅 ;

莫家庆 ;

贾振红 ;

江涛 .

中国专利 :CN102383177A ,2012-03-21

[7]

一种多孔硅材料的制备方法、制备的多孔硅材料及其用途 [P].

苏发兵 ;

张在磊 ;

王艳红 ;

翟世辉 .

中国专利 :CN103663458B ,2014-03-26

[8]

高能球磨法制备多孔硅材料的方法 [P].

曲晓雷 ;

王茂范 ;

薄晋科 ;

刘鹏 ;

李季峰 ;

刘萌 .

中国专利 :CN120483164A ,2025-08-15

[9]

一种下转换发光多孔硅材料及其制备和应用 [P].

李东升 ;

梁锋 ;

汪雷 ;

杨德仁 .

中国专利 :CN103343382A ,2013-10-09

[10]

一种硼掺杂多孔硅材料的制备方法、多孔硅材料和应用 [P].

韩峰 .

中国专利 :CN119315022A ,2025-01-14

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