碳化硅单晶生长用坩埚结构和碳化硅单晶的生长方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202111095367.2

申请日：

2021-09-17

公开(公告)号：

CN113789572B

公开(公告)日：

2021-12-14

发明(设计)人：

雍庆娄艳芳刘春俊王光明姚静张宁彭同华杨建

申请人：

申请人地址：

102600 北京市大兴区中关村科技园区大兴生物医药产业基地天荣大街9号2幢301室

IPC主分类号：

C30B2936

IPC分类号：

C30B2300

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司 11227

代理人：

张丽娜

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-12-31	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C30B 29/36 申请日:20210917
2022-11-08	授权	授权
2021-12-14	公开	公开

共 50 条

[1]

碳化硅单晶的生长方法、碳化硅单晶、坩埚和生长系统 [P].

陈小龙 ;

王国宾 ;

郭建刚 ;

李辉 ;

王文军 ;

盛达 .

中国专利 :CN116288647B ,2025-08-26

[2]

用于碳化硅单晶生长的蜂窝坩埚及碳化硅单晶生长方法 [P].

任卫国 ;

姬丽云 ;

谢雪健 ;

李树强 ;

王雨雷 ;

李云通 ;

姬长来 ;

纪秋环 .

中国专利 :CN120273021A ,2025-07-08

[3]

碳化硅单晶生长装置及碳化硅单晶生长方法 [P].

王海涛 ;

乔帅帅 .

中国专利 :CN120384329A ,2025-07-29

[4]

碳化硅单晶生长坩埚 [P].

王旻峰 ;

张洁 ;

汪良 ;

付芬 ;

邓树军 .

中国专利 :CN214572368U ,2021-11-02

[5]

碳化硅单晶的生长方法 [P].

刘东峰 ;

郑向光 ;

田越 ;

杨昆 ;

刘新辉 ;

路亚娟 ;

牛晓龙 ;

陈飒 ;

刘谦 ;

闫猛 ;

李扬 .

中国专利 :CN118064966A ,2024-05-24

[6]

碳化硅单晶生长装置 [P].

伍艳 ;

周亮亮 ;

叶磊 ;

王震威 ;

高玉强 .

中国专利 :CN222594075U ,2025-03-11

[7]

碳化硅单晶生长装置 [P].

徐良 ;

蓝文安 ;

占俊杰 ;

阳明益 ;

刘建哲 ;

余雅俊 .

中国专利 :CN210856410U ,2020-06-26

[8]

碳化硅单晶生长装置 [P].

徐良 ;

蓝文安 ;

占俊杰 ;

阳明益 ;

刘建哲 ;

余雅俊 .

中国专利 :CN210856411U ,2020-06-26

[9]

碳化硅单晶生长装置 [P].

裴悠松 ;

徐洙莹 ;

李钟海 .

中国专利 :CN112126975A ,2020-12-25

[10]

碳化硅单晶生长装置 [P].

裴悠松 ;

徐洙莹 ;

李钟海 .

中国专利 :CN213538159U ,2021-06-25

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