表面发光型半导体激光器及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200310118604.8

申请日：

2003-11-26

公开(公告)号：

CN1323473C

公开(公告)日：

2004-06-09

发明(设计)人：

江崎瑞仙西垣亨彦高冈圭児

申请人：

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

H01S5183

IPC分类号：

代理机构：

中国国际贸易促进委员会专利商标事务所

代理人：

李德山

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2007-06-27	授权	授权
2004-08-18	实质审查的生效	实质审查的生效
2019-11-12	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01S 5/183 申请日:20031126 授权公告日:20070627 终止日期:20181126
2004-06-09	公开	公开

共 50 条

[1]

表面发光型半导体激光器及其制造方法 [P].

向山尚孝 ;

植木伸明 .

中国专利 :CN1716720A ,2006-01-04

[2]

面发光型半导体激光器及其制造方法 [P].

玉贯岳正 .

中国专利 :CN102447220A ,2012-05-09

[3]

半导体激光器及其制造方法 [P].

前田修 ;

增井勇志 ;

汐先政贵 ;

佐藤进 ;

荒木田孝博 .

中国专利 :CN101834408B ,2010-09-15

[4]

半导体激光器及其制造方法 [P].

福久敏哉 ;

古川秀利 .

中国专利 :CN1302589C ,2005-05-18

[5]

表面发射型半导体激光器及其制造方法 [P].

山本将史 ;

樱井淳 .

中国专利 :CN1508915A ,2004-06-30

[6]

面发光型半导体激光器和面发光型半导体激光器阵列 [P].

近藤崇 ;

村上朱实 ;

武田一隆 ;

城岸直辉 ;

早川纯一朗 ;

樱井淳 .

中国专利 :CN105914581B ,2016-08-31

[7]

表面发射半导体激光器及其制造方法 [P].

植木伸明 .

中国专利 :CN1235320C ,2004-01-14

[8]

表面发射半导体激光器及其制造方法 [P].

大森诚也 .

中国专利 :CN1741332B ,2006-03-01

[9]

表面发射半导体激光器及其制造方法 [P].

植木伸明 ;

乙间广己 ;

村上朱实 ;

坂本朗 .

中国专利 :CN1271764C ,2003-11-05

[10]

表面发射半导体激光器及其制造方法 [P].

铃木贞一 ;

长尾太介 .

中国专利 :CN101304157A ,2008-11-12

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