面发光型半导体激光器及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201010506998.4

申请日：

2010-09-30

公开(公告)号：

CN102447220A

公开(公告)日：

2012-05-09

发明(设计)人：

玉贯岳正

申请人：

申请人地址：

中国香港新界沙田香港科学园科技大道东六号新科中心

IPC主分类号：

H01S5183

IPC分类号：

H01S506 H01S520

代理机构：

广州三环专利代理有限公司 44202

代理人：

郝传鑫

法律状态：

发明专利申请公布后的视为撤回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2015-07-22	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1603 号牌文件序号:101718469233 IPC(主分类):H01S 5/183 专利申请号:2010105069984 申请公布日:20120509
2013-07-31	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101500122075 IPC(主分类):H01S 5/183 专利申请号:2010105069984 申请日:20100930
2012-05-09	公开	公开

共 50 条

[1]

面发光型半导体激光器和面发光型半导体激光器阵列 [P].

近藤崇 ;

村上朱实 ;

武田一隆 ;

城岸直辉 ;

早川纯一朗 ;

樱井淳 .

中国专利 :CN105914581B ,2016-08-31

[2]

面发光型半导体激光器 [P].

望月理光 .

中国专利 :CN101098067A ,2008-01-02

[3]

面发光型半导体激光器 [P].

望月理光 .

中国专利 :CN101102034A ,2008-01-09

[4]

半导体激光器及其制造方法 [P].

渡辺昌规 .

中国专利 :CN1641950A ,2005-07-20

[5]

表面发光型半导体激光器及其制造方法 [P].

江崎瑞仙 ;

西垣亨彦 ;

高冈圭児 .

中国专利 :CN1323473C ,2004-06-09

[6]

表面发光型半导体激光器及其制造方法 [P].

向山尚孝 ;

植木伸明 .

中国专利 :CN1716720A ,2006-01-04

[7]

半导体激光器及其制造方法 [P].

前田修 ;

增井勇志 ;

汐先政贵 ;

佐藤进 ;

荒木田孝博 .

中国专利 :CN101834408B ,2010-09-15

[8]

半导体激光器及其制造方法 [P].

小林正英 .

中国专利 :CN101741016A ,2010-06-16

[9]

半导体激光器及其制造方法 [P].

大久保伸洋 .

中国专利 :CN1497810A ,2004-05-19

[10]

面发射半导体激光器及其制造方法 [P].

汐先政贵 ;

前田修 ;

荒木田孝博 ;

佐藤进 .

中国专利 :CN102136676A ,2011-07-27

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