半导体激光器及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN03158576.0

申请日：

2003-09-19

公开(公告)号：

CN1497810A

公开(公告)日：

2004-05-19

发明(设计)人：

大久保伸洋

申请人：

申请人地址：

日本大阪府

IPC主分类号：

H01S516

IPC分类号：

H01S530

代理机构：

北京市柳沈律师事务所

代理人：

陶凤波;侯宇

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2004-07-28	实质审查的生效	实质审查的生效
2004-05-19	公开	公开
2006-01-04	授权	授权
2021-08-27	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01S 5/16 申请日:20030919 授权公告日:20060104 终止日期:20200919

共 50 条

[1]

半导体激光器及其制造方法 [P].

小林正英 .

中国专利 :CN101741016A ,2010-06-16

[2]

半导体激光器及其制造方法 [P].

渡辺昌规 .

中国专利 :CN1641950A ,2005-07-20

[3]

半导体激光器及其制造方法 [P].

太田将之 ;

兼岩进治 ;

大岛昇 .

中国专利 :CN1487637A ,2004-04-07

[4]

半导体激光器及其制造方法 [P].

笹畑圭史 ;

松本启资 ;

青柳利隆 ;

近藤正彦 ;

森藤正人 ;

百濑英毅 .

中国专利 :CN101527429B ,2009-09-09

[5]

半导体激光器及其制造方法 [P].

福久敏哉 ;

古川秀利 .

中国专利 :CN1302589C ,2005-05-18

[6]

半导体激光器及其制造方法 [P].

上田哲生 ;

山根启嗣 ;

木户口勋 ;

藤森省司 .

中国专利 :CN1440098A ,2003-09-03

[7]

半导体激光器及其制造方法 [P].

笹冈千秋 .

中国专利 :CN102237634A ,2011-11-09

[8]

半导体激光器以及制造半导体激光器的方法 [P].

多田健太郎 ;

远藤健司 ;

深谷一夫 ;

奥田哲朗 ;

小林正英 .

中国专利 :CN101820135A ,2010-09-01

[9]

用于制造半导体激光器器件的方法及半导体激光器器件 [P].

滨口达史 ;

高木慎平 .

中国专利 :CN103959579A ,2014-07-30

[10]

半导体激光器 [P].

外山智一郎 .

中国专利 :CN100590940C ,2005-08-31

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