半导体激光器及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200910224549.8

申请日：

2009-11-17

公开(公告)号：

CN101741016A

公开(公告)日：

2010-06-16

发明(设计)人：

小林正英

申请人：

申请人地址：

日本神奈川

IPC主分类号：

H01S5343

IPC分类号：

H01S5068

代理机构：

中原信达知识产权代理有限责任公司 11219

代理人：

孙志湧;李亚

法律状态：

专利申请权、专利权的转移

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2010-12-22	专利申请权、专利权的转移	专利申请权的转移号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101053789098 IPC(主分类):H01S 5/343 专利申请号:2009102245498 变更事项:申请人变更前权利人:恩益禧电子股份有限公司变更后权利人:瑞萨电子株式会社变更事项:地址变更前权利人:日本神奈川变更后权利人:日本神奈川登记生效日:20101110
2010-06-16	公开	公开
2011-07-20	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101088510513 IPC(主分类):H01S 5/343 专利申请号:2009102245498 申请日:20091117
2013-11-06	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1603 号牌文件序号:101669891745 IPC(主分类):H01S 5/343 专利申请号:2009102245498 申请公布日:20100616

共 50 条

[1]

半导体激光器及其制造方法 [P].

大久保伸洋 .

中国专利 :CN1497810A ,2004-05-19

[2]

半导体激光器及其制造方法 [P].

渡辺昌规 .

中国专利 :CN1641950A ,2005-07-20

[3]

用于制造半导体激光器器件的方法及半导体激光器器件 [P].

滨口达史 ;

高木慎平 .

中国专利 :CN103959579A ,2014-07-30

[4]

半导体激光器 [P].

外山智一郎 .

中国专利 :CN100590940C ,2005-08-31

[5]

半导体激光器 [P].

日高正洋 ;

高木丰 .

日本专利 :CN120933766A ,2025-11-11

[6]

半导体激光器 [P].

外山智一郎 .

中国专利 :CN100472901C ,2007-07-04

[7]

半导体激光器 [P].

小杉朋之 .

中国专利 :CN101902016A ,2010-12-01

[8]

半导体激光器 [P].

外山智一郎 .

中国专利 :CN100444481C ,2005-05-25

[9]

半导体激光器 [P].

藏本恭介 .

中国专利 :CN112640233B ,2021-04-09

[10]

半导体激光器以及半导体激光器制造方法 [P].

中村直干 ;

河原弘幸 ;

松本启资 ;

铃木凉子 ;

平聪 .

日本专利 :CN118266139A ,2024-06-28

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