半导体激光器及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN03155768.6

申请日：

2003-09-01

公开(公告)号：

CN1487637A

公开(公告)日：

2004-04-07

发明(设计)人：

太田将之兼岩进治大岛昇

申请人：

申请人地址：

日本大阪府

IPC主分类号：

H01S530

IPC分类号：

H01S500

代理机构：

北京市柳沈律师事务所

代理人：

陶凤波;侯宇

法律状态：

公开

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2004-04-07	公开	公开
2004-06-16	实质审查的生效	实质审查的生效
2011-09-14	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101183785525 IPC(主分类):H01S 5/30 专利申请号:031557686 公开日:20040407

共 50 条

[1]

半导体激光器及其制造方法 [P].

笹畑圭史 ;

松本启资 ;

青柳利隆 ;

近藤正彦 ;

森藤正人 ;

百濑英毅 .

中国专利 :CN101527429B ,2009-09-09

[2]

半导体激光器及其制造方法 [P].

大久保伸洋 .

中国专利 :CN1497810A ,2004-05-19

[3]

半导体激光器及其制造方法 [P].

福久敏哉 ;

古川秀利 .

中国专利 :CN1302589C ,2005-05-18

[4]

半导体激光器及其制造方法 [P].

上田哲生 ;

山根启嗣 ;

木户口勋 ;

藤森省司 .

中国专利 :CN1440098A ,2003-09-03

[5]

半导体激光器及其制造方法 [P].

笹冈千秋 .

中国专利 :CN102237634A ,2011-11-09

[6]

半导体激光器以及制造半导体激光器的方法 [P].

多田健太郎 ;

远藤健司 ;

深谷一夫 ;

奥田哲朗 ;

小林正英 .

中国专利 :CN101820135A ,2010-09-01

[7]

半导体激光器和用于制造半导体激光器的方法 [P].

弗兰克·辛格 ;

诺温·文马尔姆 ;

蒂尔曼·鲁戈海默 ;

托马斯·基佩斯 .

中国专利 :CN108141007A ,2018-06-08

[8]

半导体激光器模块、半导体激光器模块的制造方法 [P].

石毛悠太 ;

片山悦治 ;

木村俊雄 .

中国专利 :CN108463929B ,2018-08-28

[9]

半导体激光器以及半导体激光器制造方法 [P].

中村直干 ;

河原弘幸 ;

松本启资 ;

铃木凉子 ;

平聪 .

日本专利 :CN118266139A ,2024-06-28

[10]

半导体激光器、半导体激光器制冷结构及其制造方法 [P].

潘华东 ;

靳嫣然 ;

周立 ;

王俊 ;

闵大勇 ;

廖新胜 .

中国专利 :CN111082310A ,2020-04-28

← 1 2 3 4 5 →