面发光型半导体激光器

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200710127598.0

申请日：

2007-07-05

公开(公告)号：

CN101102034A

公开(公告)日：

2008-01-09

发明(设计)人：

望月理光

申请人：

申请人地址：

日本东京

IPC主分类号：

H01S5183

IPC分类号：

H01S518

代理机构：

北京康信知识产权代理有限责任公司

代理人：

余刚;尚志峰

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2008-02-27	实质审查的生效	实质审查的生效
2008-01-09	公开	公开
2009-12-16	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回

共 50 条

[1]

面发光型半导体激光器 [P].

望月理光 .

中国专利 :CN101098067A ,2008-01-02

[2]

面发光型半导体激光器和面发光型半导体激光器阵列 [P].

近藤崇 ;

村上朱实 ;

武田一隆 ;

城岸直辉 ;

早川纯一朗 ;

樱井淳 .

中国专利 :CN105914581B ,2016-08-31

[3]

面发光型半导体激光器及其制造方法 [P].

玉贯岳正 .

中国专利 :CN102447220A ,2012-05-09

[4]

边沿发光半导体激光器及半导体激光器模件 [P].

千田浩明 .

中国专利 :CN1233076C ,2003-04-16

[5]

面发射半导体激光器 [P].

徐长达 ;

金亚 ;

穆春元 ;

陈伟 ;

李明 ;

祝宁华 .

中国专利 :CN113964648B ,2024-03-26

[6]

面发射半导体激光器 [P].

徐长达 ;

金亚 ;

穆春元 ;

陈伟 ;

李明 ;

祝宁华 .

中国专利 :CN113964648A ,2022-01-21

[7]

面发射半导体激光器 [P].

山本匡史 ;

辻祐史 ;

高水大树 ;

村山实 .

中国专利 :CN111133642B ,2020-05-08

[8]

面发射半导体激光器 [P].

小山雄司 .

中国专利 :CN114142340A ,2022-03-04

[9]

衍射型面发射半导体激光器 [P].

郁骁琦 ;

郑煜臻 ;

杨辉 .

中国专利 :CN118970623B ,2025-09-02

[10]

衍射型面发射半导体激光器 [P].

郁骁琦 ;

郑煜臻 ;

杨辉 .

中国专利 :CN118970623A ,2024-11-15

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