SOI衬底结构及其制备方法、半导体器件及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201810638976.X

申请日：

2018-06-20

公开(公告)号：

CN108550591A

公开(公告)日：

2018-09-18

发明(设计)人：

刘张李

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号

IPC主分类号：

H01L2712

IPC分类号：

H01L21762

代理机构：

上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237

代理人：

屈蘅

法律状态：

发明专利申请公布后的驳回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-10-29	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L 27/12 申请公布日:20180918
2018-09-18	公开	公开
2018-10-16	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 27/12 申请日:20180620

共 50 条

[1]

半导体衬底及其制备方法、半导体器件及其制备方法 [P].

王国斌 ;

闫其昂 ;

刘宗亮 .

中国专利 :CN114141919A ,2022-03-04

[2]

衬底及其制备方法以及半导体器件及其制备方法 [P].

笠井仁 ;

八乡昭广 ;

三浦祥纪 ;

秋田胜史 .

中国专利 :CN100573822C ,2008-01-09

[3]

半导体器件、半导体结构及其制备方法 [P].

白杰 .

中国专利 :CN112885780A ,2021-06-01

[4]

外延结构及其制备方法、半导体器件及其制备方法 [P].

钱洪途 ;

裴轶 ;

其他发明人请求不公开姓名 .

中国专利 :CN115548111A ,2022-12-30

[5]

SOI衬底及其制造方法和半导体器件 [P].

山崎舜平 .

中国专利 :CN101669193B ,2010-03-10

[6]

半导体器件及其制备方法 [P].

于绍欣 .

中国专利 :CN114695517A ,2022-07-01

[7]

半导体器件及其制备方法 [P].

田国军 ;

张伟光 ;

高志强 ;

王同信 ;

郑重 .

中国专利 :CN118610238A ,2024-09-06

[8]

半导体衬底及其制备方法 [P].

盐田活 .

中国专利 :CN1245971A ,2000-03-01

[9]

半导体器件结构及其制备方法 [P].

不公告发明人 .

中国专利 :CN110880510A ,2020-03-13

[10]

半导体器件结构及其制备方法 [P].

徐吉程 ;

潘群华 .

中国专利 :CN114005824A ,2022-02-01

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