衬底及其制备方法以及半导体器件及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200710127356.1

申请日：

2007-07-02

公开(公告)号：

CN100573822C

公开(公告)日：

2008-01-09

发明(设计)人：

笠井仁八乡昭广三浦祥纪秋田胜史

申请人：

申请人地址：

日本大阪府大阪市中央区北浜四丁目5番33号

IPC主分类号：

H01L2102

IPC分类号：

H01L2120 H01L2300

代理机构：

中原信达知识产权代理有限责任公司

代理人：

穆德骏;黄启行

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2009-12-23	授权	授权
2008-01-09	公开	公开
2008-07-09	实质审查的生效	实质审查的生效
2016-08-17	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101675757867 IPC(主分类):H01L 21/02 专利号:ZL2007101273561 申请日:20070702 授权公告日:20091223 终止日期:20150702

共 50 条

[1]

半导体衬底及其制备方法、半导体器件及其制备方法 [P].

王国斌 ;

闫其昂 ;

刘宗亮 .

中国专利 :CN114141919A ,2022-03-04

[2]

SOI衬底结构及其制备方法、半导体器件及其制备方法 [P].

刘张李 .

中国专利 :CN108550591A ,2018-09-18

[3]

衬底、半导体器件及其制造方法 [P].

石桥惠二 .

中国专利 :CN103608899A ,2014-02-26

[4]

衬底、半导体器件及其制备方法 [P].

朱辉 ;

黄宝伟 ;

吴海平 .

中国专利 :CN112582469A ,2021-03-30

[5]

半导体器件以及其制备方法 [P].

小仓正巳 ;

高柳教人 ;

山田友子 ;

加藤润 ;

增田次男 ;

合叶司 ;

高野文明 .

中国专利 :CN101908521A ,2010-12-08

[6]

半导体器件及其制备方法 [P].

刘张李 .

中国专利 :CN108074965A ,2018-05-25

[7]

半导体器件及其制备方法 [P].

西井胜则 ;

井上薰 ;

松野年伸 ;

池田义人 ;

正户宏幸 .

中国专利 :CN1372327A ,2002-10-02

[8]

半导体器件及其制备方法 [P].

顾炎 ;

张森 ;

宋华 ;

邹敏 .

中国专利 :CN115483283A ,2022-12-16

[9]

半导体器件及其制备方法 [P].

冯立伟 .

中国专利 :CN118475119A ,2024-08-09

[10]

半导体器件及其制备方法 [P].

杨天应 ;

刘丽娟 .

中国专利 :CN113436982B ,2021-09-24

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