半导体器件及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN02105253.0

申请日：

2002-02-22

公开(公告)号：

CN1372327A

公开(公告)日：

2002-10-02

发明(设计)人：

西井胜则井上薰松野年伸池田义人正户宏幸

申请人：

申请人地址：

日本国大阪府

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

H01L21336

代理机构：

中科专利商标代理有限责任公司

代理人：

汪惠民

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2008-03-26	授权	授权
2004-04-21	实质审查的生效	实质审查的生效
2021-02-09	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 29/78 申请日:20020222 授权公告日:20080326 终止日期:20200222
2002-10-02	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体器件及其制备方法 [P].

唐建石 ;

苏彦博 ;

潘立阳 ;

高滨 ;

钱鹤 ;

吴华强 .

中国专利 :CN119947088A ,2025-05-06

[2]

半导体器件及其制备方法 [P].

刘张李 .

中国专利 :CN108074965A ,2018-05-25

[3]

半导体器件及其制备方法 [P].

陈兆同 ;

何昌 ;

史波 ;

曾丹 .

中国专利 :CN111261720A ,2020-06-09

[4]

半导体器件及其制备方法 [P].

唐建石 ;

苏彦博 ;

潘立阳 ;

高滨 ;

钱鹤 ;

吴华强 .

中国专利 :CN119947088B ,2025-10-17

[5]

氮化镓半导体器件及其制备方法 [P].

刘美华 ;

林信南 ;

刘岩军 .

中国专利 :CN107316890A ,2017-11-03

[6]

氮化镓半导体器件及其制备方法 [P].

刘美华 ;

林信南 ;

刘岩军 .

中国专利 :CN107316895A ,2017-11-03

[7]

氮化镓半导体器件及其制备方法 [P].

刘美华 ;

林信南 ;

刘岩军 .

中国专利 :CN107275386A ,2017-10-20

[8]

氮化镓半导体器件及其制备方法 [P].

刘美华 ;

林信南 ;

刘岩军 .

中国专利 :CN107316891A ,2017-11-03

[9]

氮化镓半导体器件及其制备方法 [P].

刘美华 ;

林信南 ;

刘岩军 .

中国专利 :CN107293576B ,2017-10-24

[10]

氮化镓半导体器件及其制备方法 [P].

刘美华 ;

林信南 ;

刘岩军 .

中国专利 :CN107393963B ,2017-11-24

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