半导体器件及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201711330960.4

申请日：

2017-12-13

公开(公告)号：

CN108074965A

公开(公告)日：

2018-05-25

发明(设计)人：

刘张李

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号

IPC主分类号：

H01L2906

IPC分类号：

H01L21336 H01L2978

代理机构：

上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237

代理人：

屈蘅

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-05-25	公开	公开
2018-06-19	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/06 申请日:20171213
2021-08-13	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L 29/06 申请公布日:20180525

共 50 条

[1]

半导体器件及其制备方法 [P].

刘张李 .

中国专利 :CN107946230B ,2018-04-20

[2]

半导体器件及其制备方法 [P].

刘张李 ;

莘海维 ;

蒙飞 ;

孙玉红 .

中国专利 :CN108054132A ,2018-05-18

[3]

半导体器件及其制备方法 [P].

王心旺 ;

王兆祥 ;

梁洁 ;

徐兵 ;

王晓雯 .

中国专利 :CN118866654A ,2024-10-29

[4]

半导体器件及其制备方法 [P].

唐建石 ;

苏彦博 ;

潘立阳 ;

高滨 ;

钱鹤 ;

吴华强 .

中国专利 :CN119947088A ,2025-05-06

[5]

半导体器件及其制备方法 [P].

西井胜则 ;

井上薰 ;

松野年伸 ;

池田义人 ;

正户宏幸 .

中国专利 :CN1372327A ,2002-10-02

[6]

半导体器件及其制备方法 [P].

朱鹏 ;

叶子露 ;

盛备备 ;

胡胜 .

中国专利 :CN118588689A ,2024-09-03

[7]

半导体器件及其制备方法 [P].

朱鹏 ;

叶子露 ;

盛备备 ;

胡胜 .

中国专利 :CN118588689B ,2024-12-17

[8]

半导体器件及其制备方法 [P].

陈兆同 ;

何昌 ;

史波 ;

曾丹 .

中国专利 :CN111261720A ,2020-06-09

[9]

半导体器件及其制备方法 [P].

唐建石 ;

苏彦博 ;

潘立阳 ;

高滨 ;

钱鹤 ;

吴华强 .

中国专利 :CN119947088B ,2025-10-17

[10]

半导体器件及其制备方法 [P].

万经树 ;

梁孟 ;

李斌 ;

陈道坤 .

中国专利 :CN120825967A ,2025-10-21

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