半导体器件及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202411067581.0

申请日：

2024-08-06

公开(公告)号：

CN118588689A

公开(公告)日：

2024-09-03

发明(设计)人：

朱鹏叶子露盛备备胡胜

申请人：

武汉新芯集成电路股份有限公司

申请人地址：

430205 湖北省武汉市东湖开发区高新四路18号

IPC主分类号：

H01L23/538

IPC分类号：

H01L21/768 H10B12/00 H10N97/00

代理机构：

上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237

代理人：

宋艳

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-12-17	授权	授权
2024-09-03	公开	公开
2024-09-20	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H01L 23/538申请日:20240806

共 50 条

[1]

半导体器件及其制备方法 [P].

朱鹏 ;

叶子露 ;

盛备备 ;

胡胜 .

中国专利 :CN118588689B ,2024-12-17

[2]

半导体器件及其制备方法 [P].

刘张李 .

中国专利 :CN108074965A ,2018-05-25

[3]

半导体器件及其制备方法 [P].

刘张李 ;

莘海维 ;

蒙飞 ;

孙玉红 .

中国专利 :CN108054132A ,2018-05-18

[4]

半导体器件及其制备方法 [P].

刘张李 .

中国专利 :CN107946230B ,2018-04-20

[5]

半导体器件及其制备方法 [P].

万经树 ;

梁孟 ;

李斌 ;

陈道坤 .

中国专利 :CN120825967A ,2025-10-21

[6]

功率半导体器件及其制备方法 [P].

周源 ;

王超 ;

胡磊 ;

邢岳 ;

杨棂鑫 ;

王振达 ;

罗胡瑞 .

中国专利 :CN114141879A ,2022-03-04

[7]

功率半导体器件及其制备方法 [P].

周源 ;

王超 ;

胡磊 ;

邢岳 ;

杨棂鑫 ;

王振达 ;

罗胡瑞 .

中国专利 :CN114141879B ,2025-08-26

[8]

半导体结构及其制造方法、半导体器件 [P].

吴桐 .

中国专利 :CN113241335B ,2021-08-10

[9]

制备半导体器件的方法 [P].

冈田茂业 ;

二濑卓也 ;

稻叶丰 .

中国专利 :CN101494167B ,2009-07-29

[10]

半导体器件的制备方法 [P].

清野拓哉 ;

池本学 ;

伊达大树 .

中国专利 :CN101765905A ,2010-06-30

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