半导体器件及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201711127693.0

申请日：

2017-11-15

公开(公告)号：

CN107946230B

公开(公告)日：

2018-04-20

发明(设计)人：

刘张李

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号

IPC主分类号：

H01L21762

IPC分类号：

H01L21764

代理机构：

上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237

代理人：

屈蘅

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-04-20	公开	公开
2020-06-16	授权	授权
2018-05-15	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/762 申请日:20171115

共 50 条

[1]

半导体器件及其制备方法 [P].

刘张李 ;

莘海维 ;

蒙飞 ;

孙玉红 .

中国专利 :CN108054132A ,2018-05-18

[2]

半导体器件及其制备方法 [P].

刘张李 .

中国专利 :CN108074965A ,2018-05-25

[3]

半导体器件及其制备方法 [P].

李玉坤 .

中国专利 :CN114446886B ,2024-10-18

[4]

半导体器件及其制备方法 [P].

李玉坤 .

中国专利 :CN114446886A ,2022-05-06

[5]

半导体结构及其制备方法、半导体器件 [P].

张旭 ;

储郁冬 ;

陆琦 ;

赵天楚 .

中国专利 :CN118866807A ,2024-10-29

[6]

半导体器件及其制备方法 [P].

李玉坤 ;

陈涛 .

中国专利 :CN114078764A ,2022-02-22

[7]

半导体器件及其制备方法 [P].

吴公一 ;

陆勇 ;

辛欣 .

中国专利 :CN114373718A ,2022-04-19

[8]

半导体器件及其制备方法 [P].

朱鹏 ;

叶子露 ;

盛备备 ;

胡胜 .

中国专利 :CN118588689A ,2024-09-03

[9]

半导体器件及其制备方法 [P].

朱鹏 ;

叶子露 ;

盛备备 ;

胡胜 .

中国专利 :CN118588689B ,2024-12-17

[10]

半导体器件及其制备方法 [P].

尹成功 ;

吴星星 .

中国专利 :CN114520260A ,2022-05-20

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