一种改善硅片边缘翘曲的切割方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201811104224.1

申请日：

2018-09-21

公开(公告)号：

CN109227975B

公开(公告)日：

2019-01-18

发明(设计)人：

卢运增贺贤汉丁晓健

申请人：

申请人地址：

200444 上海市宝山区山连路181号1幢

IPC主分类号：

B28D504

IPC分类号：

B28D700

代理机构：

上海顺华专利代理有限责任公司 31203

代理人：

顾兰芳

法律状态：

专利权人的姓名或者名称、地址的变更

国省代码：

引用

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共 50 条

[1]

一种改善硅片边缘翘曲的方法 [P].

卢运增 ;

贺贤汉 ;

洪漪 ;

丁晓建 .

中国专利 :CN111872780B ,2020-11-03

[2]

一种改善硅片多晶硅薄膜翘曲的化学气相沉积方法 [P].

马爱 ;

贺贤汉 ;

李传玉 .

中国专利 :CN109300777A ,2019-02-01

[3]

一种改善两层薄膜硅片翘曲的方法 [P].

马爱 .

中国专利 :CN119517731A ,2025-02-25

[4]

一种减小硅片多线切割时硅片翘曲的方法 [P].

张松江 ;

贺贤汉 ;

丁晓健 ;

吉远君 .

中国专利 :CN108162213A ,2018-06-15

[5]

改善硅片边缘金属的方法 [P].

陈坚 .

中国专利 :CN119608644A ,2025-03-14

[6]

一种硅片边缘面的污染类型的检测方法 [P].

薛浩波 ;

邹永鑫 .

中国专利 :CN121075937A ,2025-12-05

[7]

一种改善硅片翘曲度的方法 [P].

焦芬芬 .

中国专利 :CN120591749A ,2025-09-05

[8]

一种改善硅片边缘抛光质量的方法 [P].

宋同景 ;

路一辰 ;

赵新新 ;

钟耕杭 ;

李磊 ;

张清洋 ;

肖清华 ;

闫志瑞 .

中国专利 :CN118866655A ,2024-10-29

[9]

改善晶圆翘曲的方法 [P].

周爽 ;

吕穿江 ;

王晓日 ;

焦鹏 ;

禹楼飞 .

中国专利 :CN115084012A ,2022-09-20

[10]

改善硅片边缘去除量的工艺方法 [P].

由易鑫 .

中国专利 :CN118595903A ,2024-09-06

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法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-06-15	专利权人的姓名或者名称、地址的变更	专利权人的姓名或者名称、地址的变更 IPC(主分类):B28D 5/04 变更事项:专利权人变更前:上海中欣晶圆半导体科技有限公司变更后:上海中欣晶圆半导体科技有限公司变更事项:地址变更前:200444 上海市宝山区山连路181号1幢变更后:200444 上海市宝山区山连路181号1幢变更事项:专利权人变更前:杭州中芯晶圆半导体股份有限公司变更后:杭州中欣晶圆半导体股份有限公司
2019-01-18	公开	公开
2019-02-19	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):B28D 5/04 申请日:20180921
2020-11-13	授权	授权
2021-02-26	专利权人的姓名或者名称、地址的变更	专利权人的姓名或者名称、地址的变更 IPC(主分类):B28D 5/04 变更事项:专利权人变更前:上海新欣晶圆半导体科技有限公司变更后:上海中欣晶圆半导体科技有限公司变更事项:地址变更前:200444 上海市宝山区山连路181号1幢变更后:200444 上海市宝山区山连路181号1幢变更事项:专利权人变更前:杭州中芯晶圆半导体股份有限公司变更后:杭州中芯晶圆半导体股份有限公司
2020-01-14	专利申请权、专利权的转移	专利申请权的转移 IPC(主分类):B28D 5/04 登记生效日:20191226 变更事项:申请人变更前权利人:上海申和热磁电子有限公司变更后权利人:上海新欣晶圆半导体科技有限公司变更事项:地址变更前权利人:200444 上海市宝山区宝山城市工业园区山连路181号变更后权利人:200444 上海市宝山区山连路181号1幢变更事项:申请人变更前权利人:杭州中芯晶圆半导体股份有限公司变更后权利人:杭州中芯晶圆半导体股份有限公司