一种改善硅片边缘翘曲的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202010698929.1

申请日：

2020-07-20

公开(公告)号：

CN111872780B

公开(公告)日：

2020-11-03

发明(设计)人：

卢运增贺贤汉洪漪丁晓建

申请人：

申请人地址：

200444 上海市宝山区山连路181号1幢

IPC主分类号：

B24B906

IPC分类号：

B24B3708

代理机构：

上海申浩律师事务所 31280

代理人：

陆叶

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-11-03	公开	公开
2021-02-26	著录事项变更	著录事项变更 IPC(主分类):B24B 9/06 变更事项:申请人变更前:上海新欣晶圆半导体科技有限公司变更后:上海中欣晶圆半导体科技有限公司变更事项:地址变更前:200444 上海市宝山区山连路181号1幢变更后:200444 上海市宝山区山连路181号1幢
2022-04-15	授权	授权
2020-11-20	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):B24B 9/06 申请日:20200720

共 50 条

[1]

一种改善硅片边缘翘曲的切割方法 [P].

卢运增 ;

贺贤汉 ;

丁晓健 .

中国专利 :CN109227975B ,2019-01-18

[2]

一种改善两层薄膜硅片翘曲的方法 [P].

马爱 .

中国专利 :CN119517731A ,2025-02-25

[3]

一种改善硅片翘曲度的方法 [P].

焦芬芬 .

中国专利 :CN120591749A ,2025-09-05

[4]

一种改善硅片边缘抛光质量的方法 [P].

宋同景 ;

路一辰 ;

赵新新 ;

钟耕杭 ;

李磊 ;

张清洋 ;

肖清华 ;

闫志瑞 .

中国专利 :CN118866655A ,2024-10-29

[5]

改善硅片边缘金属的方法 [P].

陈坚 .

中国专利 :CN119608644A ,2025-03-14

[6]

改善晶圆翘曲的方法 [P].

周爽 ;

吕穿江 ;

王晓日 ;

焦鹏 ;

禹楼飞 .

中国专利 :CN115084012A ,2022-09-20

[7]

一种减小硅片多线切割时硅片翘曲的方法 [P].

张松江 ;

贺贤汉 ;

丁晓健 ;

吉远君 .

中国专利 :CN108162213A ,2018-06-15

[8]

一种改善翘曲的基板垫块 [P].

罗天佐 ;

费伟华 ;

郑伟峰 ;

刘雅文 .

中国专利 :CN221226197U ,2024-06-25

[9]

一种改善半导体晶片翘曲的方法 [P].

陈玉文 ;

张亮 ;

李磊 ;

胡友存 ;

姬峰 .

中国专利 :CN102420176A ,2012-04-18

[10]

一种改善硅片多晶硅薄膜翘曲的化学气相沉积方法 [P].

马爱 ;

贺贤汉 ;

李传玉 .

中国专利 :CN109300777A ,2019-02-01

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