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用于制造包括活性物质仓的活性物质释放系统的装置以及用于制造活性物质释放系统的方法
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN201980022940.1
申请日
:
2019-03-27
公开(公告)号
:
CN111971160B
公开(公告)日
:
2020-11-20
发明(设计)人
:
赫尔曼·塞茨
罗兰·马尔茨莫尔
尼尔斯·格拉波
迈克尔·特斯克
托马斯·艾克纳
罗伯特·毛
亚历山大·里斯
克劳斯-彼得·施米茨
申请人
:
申请人地址
:
德国罗斯托克
IPC主分类号
:
B29C64124
IPC分类号
:
B29C64112
B29C64194
A61K920
B33Y1000
B33Y8000
代理机构
:
成都超凡明远知识产权代理有限公司 51258
代理人
:
王晖;李楠
法律状态
:
公开
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2020-11-20
公开
公开
2022-07-26
授权
授权
2020-12-08
实质审查的生效
实质审查的生效 IPC(主分类):B29C 64/124 申请日:20190327
共 50 条
[1]
用于释放活性物质的方法和活性物质释放系统
[P].
S·福格特
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
S·福格特
.
中国专利
:CN103800100B
,2014-05-21
[2]
活性物质以及活性物质的制造方法
[P].
佐野笃史
论文数:
0
引用数:
0
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0
佐野笃史
;
大槻佳太郎
论文数:
0
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0
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0
大槻佳太郎
;
宫本阳辅
论文数:
0
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0
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0
宫本阳辅
;
高桥毅
论文数:
0
引用数:
0
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0
高桥毅
;
井上亨
论文数:
0
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0
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0
井上亨
;
樋口章二
论文数:
0
引用数:
0
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0
樋口章二
.
中国专利
:CN101714623A
,2010-05-26
[3]
用于活性物质释放的产品
[P].
J.P.S.巴德亚尔
论文数:
0
引用数:
0
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0
J.P.S.巴德亚尔
;
W.C.E.肖菲尔德
论文数:
0
引用数:
0
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0
W.C.E.肖菲尔德
;
S.莫尔施
论文数:
0
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0
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0
S.莫尔施
.
中国专利
:CN103814169A
,2014-05-21
[4]
活性物质的制造方法和活性物质
[P].
佐野笃史
论文数:
0
引用数:
0
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0
佐野笃史
.
中国专利
:CN101276908B
,2008-10-01
[5]
正极活性物质的制造方法以及正极活性物质
[P].
岛田知弥
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
株式会社半导体能源研究所
株式会社半导体能源研究所
岛田知弥
;
佐佐木宏辅
论文数:
0
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0
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0
机构:
株式会社半导体能源研究所
株式会社半导体能源研究所
佐佐木宏辅
;
门马洋平
论文数:
0
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0
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0
机构:
株式会社半导体能源研究所
株式会社半导体能源研究所
门马洋平
.
日本专利
:CN119487652A
,2025-02-18
[6]
活性物质的控制释放
[P].
P·巴特
论文数:
0
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0
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0
P·巴特
;
E·G·克鲁兹
论文数:
0
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0
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0
E·G·克鲁兹
;
N·扬
论文数:
0
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0
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0
N·扬
.
中国专利
:CN1325301A
,2001-12-05
[7]
活性物质以及电极的制造方法、活性物质以及电极
[P].
铃木长
论文数:
0
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0
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0
铃木长
;
铃木忠
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
铃木忠
.
中国专利
:CN101510608A
,2009-08-19
[8]
活性物质的制造方法
[P].
佐野笃史
论文数:
0
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0
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0
佐野笃史
;
大槻佳太郎
论文数:
0
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0
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0
大槻佳太郎
;
宫木阳辅
论文数:
0
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0
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0
宫木阳辅
;
高桥毅
论文数:
0
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0
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0
高桥毅
;
樋口章二
论文数:
0
引用数:
0
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0
樋口章二
.
中国专利
:CN101997117A
,2011-03-30
[9]
活性物质的制造方法
[P].
佐野笃史
论文数:
0
引用数:
0
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0
佐野笃史
;
大槻佳太郎
论文数:
0
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大槻佳太郎
;
宫木阳辅
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0
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0
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宫木阳辅
;
高桥毅
论文数:
0
引用数:
0
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0
高桥毅
;
樋口章二
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
樋口章二
.
中国专利
:CN101841026A
,2010-09-22
[10]
活性物质的制造方法
[P].
岛野哲
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
住友化学株式会社
住友化学株式会社
岛野哲
.
日本专利
:CN115210937B
,2025-10-03
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