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一种改进的磷化铟晶体合成和生长工艺及装置
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN202011278512.6
申请日
:
2020-11-16
公开(公告)号
:
CN112410883A
公开(公告)日
:
2021-02-26
发明(设计)人
:
高文飞
申请人
:
申请人地址
:
675000 云南省楚雄彝族自治州楚雄市鹿城镇阳光大道旁
IPC主分类号
:
C30B2940
IPC分类号
:
C30B1500
C01B2508
代理机构
:
南京经纬专利商标代理有限公司 32200
代理人
:
王美章
法律状态
:
实质审查的生效
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2021-03-16
实质审查的生效
实质审查的生效 IPC(主分类):C30B 29/40 申请日:20201116
2021-02-26
公开
公开
共 50 条
[1]
一种磷化铟晶体的生长工艺
[P].
邵广育
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
浙江康鹏半导体有限公司
浙江康鹏半导体有限公司
邵广育
;
胡昌勇
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机构:
浙江康鹏半导体有限公司
浙江康鹏半导体有限公司
胡昌勇
;
卜英瀚
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机构:
浙江康鹏半导体有限公司
浙江康鹏半导体有限公司
卜英瀚
.
中国专利
:CN117702274B
,2024-04-30
[2]
一种磷化铟晶体的生长工艺
[P].
邵广育
论文数:
0
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机构:
浙江康鹏半导体有限公司
浙江康鹏半导体有限公司
邵广育
;
胡昌勇
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机构:
浙江康鹏半导体有限公司
浙江康鹏半导体有限公司
胡昌勇
;
卜英瀚
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机构:
浙江康鹏半导体有限公司
浙江康鹏半导体有限公司
卜英瀚
.
中国专利
:CN117702274A
,2024-03-15
[3]
一种熔融法制备磷化铟晶体的合成工艺
[P].
黄小华
论文数:
0
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机构:
陕西铟杰半导体有限公司
陕西铟杰半导体有限公司
黄小华
;
聂林涛
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机构:
陕西铟杰半导体有限公司
陕西铟杰半导体有限公司
聂林涛
.
中国专利
:CN117431629A
,2024-01-23
[4]
一种磷化铟晶体的快速生长装置及生长方法
[P].
潘功寰
论文数:
0
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潘功寰
.
中国专利
:CN113668059A
,2021-11-19
[5]
一种用于生长磷化铟晶体的坩埚
[P].
卢鹏荐
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机构:
武汉拓材科技有限公司
武汉拓材科技有限公司
卢鹏荐
;
曾小龙
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机构:
武汉拓材科技有限公司
武汉拓材科技有限公司
曾小龙
;
张林
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机构:
武汉拓材科技有限公司
武汉拓材科技有限公司
张林
;
赵平
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机构:
武汉拓材科技有限公司
武汉拓材科技有限公司
赵平
;
李鹏武
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机构:
武汉拓材科技有限公司
武汉拓材科技有限公司
李鹏武
;
袁珊珊
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机构:
武汉拓材科技有限公司
武汉拓材科技有限公司
袁珊珊
.
中国专利
:CN119411230A
,2025-02-11
[6]
一种磷化铟晶体生长设备
[P].
马争荣
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马争荣
;
王建玲
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王建玲
.
中国专利
:CN213172683U
,2021-05-11
[7]
一种磷化铟晶体生长除杂装置
[P].
顾正伟
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机构:
中砥半导体技术(江苏)有限公司
中砥半导体技术(江苏)有限公司
顾正伟
;
晏善成
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机构:
中砥半导体技术(江苏)有限公司
中砥半导体技术(江苏)有限公司
晏善成
;
陆小虎
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机构:
中砥半导体技术(江苏)有限公司
中砥半导体技术(江苏)有限公司
陆小虎
;
李存
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机构:
中砥半导体技术(江苏)有限公司
中砥半导体技术(江苏)有限公司
李存
.
中国专利
:CN120443350A
,2025-08-08
[8]
一种磷化铟晶体生长除杂装置
[P].
马争荣
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马争荣
;
王建玲
论文数:
0
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0
王建玲
.
中国专利
:CN213287900U
,2021-05-28
[9]
一种磷化铟多晶的合成装置和合成工艺
[P].
陈佳薇
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0
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机构:
北京铭镓半导体有限公司
北京铭镓半导体有限公司
陈佳薇
;
范钦明
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机构:
北京铭镓半导体有限公司
北京铭镓半导体有限公司
范钦明
;
王新峰
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机构:
北京铭镓半导体有限公司
北京铭镓半导体有限公司
王新峰
;
陈政委
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机构:
北京铭镓半导体有限公司
北京铭镓半导体有限公司
陈政委
;
赵德刚
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机构:
北京铭镓半导体有限公司
北京铭镓半导体有限公司
赵德刚
;
乔印彬
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机构:
北京铭镓半导体有限公司
北京铭镓半导体有限公司
乔印彬
;
张宇峰
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机构:
北京铭镓半导体有限公司
北京铭镓半导体有限公司
张宇峰
.
中国专利
:CN117626436A
,2024-03-01
[10]
一种输送磷化铟晶体的设备及检测工艺
[P].
潘功寰
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潘功寰
;
顾正伟
论文数:
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顾正伟
.
中国专利
:CN114029258B
,2022-02-11
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