一种熔融法制备磷化铟晶体的合成工艺

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202311302367.4

申请日：

2023-10-10

公开(公告)号：

CN117431629A

公开(公告)日：

2024-01-23

发明(设计)人：

黄小华聂林涛

申请人：

陕西铟杰半导体有限公司

申请人地址：

727031 陕西省铜川市新区新材料产业园区纬九路小微企业园7号楼

IPC主分类号：

C30B28/04

IPC分类号：

C30B29/40

代理机构：

代理人：

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

江苏省南京市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-02-09	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):C30B 28/04申请日:20231010
2024-01-23	公开	公开

共 50 条

[1]

一种磷化铟多晶的合成装置和合成工艺 [P].

陈佳薇 ;

范钦明 ;

王新峰 ;

陈政委 ;

赵德刚 ;

乔印彬 ;

张宇峰 .

中国专利 :CN117626436A ,2024-03-01

[2]

一种磷化铟的合成方法 [P].

陈伟杰 ;

周铁军 ;

齐正阳 .

中国专利 :CN115537921A ,2022-12-30

[3]

一种磷化铟半导体材料的合成工艺 [P].

卜俊鹏 ;

邵广育 ;

卜英瀚 ;

胡昌勇 .

中国专利 :CN118639309B ,2025-02-14

[4]

一种磷化铟半导体材料的合成工艺 [P].

卜俊鹏 ;

邵广育 ;

卜英瀚 ;

胡昌勇 .

中国专利 :CN118639309A ,2024-09-13

[5]

一种磷化铟合成与VGF晶体制备的装置及方法 [P].

王书杰 ;

孙聂枫 ;

史艳磊 ;

刘峥 ;

邵会民 ;

党冀萍 ;

徐森锋 ;

姜剑 ;

李晓岚 ;

王阳 ;

张晓丹 ;

刘惠生 .

中国专利 :CN115198369B ,2024-06-11

[6]

一种改进的磷化铟晶体合成和生长工艺及装置 [P].

高文飞 .

中国专利 :CN112410883A ,2021-02-26

[7]

一种磷化铟研磨工艺与磷化铟 [P].

邢峥 ;

李海淼 .

中国专利 :CN114536208A ,2022-05-27

[8]

一种磷化铟晶体的生长工艺 [P].

邵广育 ;

胡昌勇 ;

卜英瀚 .

中国专利 :CN117702274A ,2024-03-15

[9]

一种磷化铟晶体的生长工艺 [P].

邵广育 ;

胡昌勇 ;

卜英瀚 .

中国专利 :CN117702274B ,2024-04-30

[10]

一种用于磷化铟晶体的制备装置 [P].

潘功寰 .

中国专利 :CN113699593A ,2021-11-26

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