一种磷化铟半导体材料的合成工艺

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202411090438.3

申请日：

2024-08-09

公开(公告)号：

CN118639309A

公开(公告)日：

2024-09-13

发明(设计)人：

卜俊鹏邵广育卜英瀚胡昌勇

申请人：

浙江康鹏半导体有限公司

申请人地址：

321100 浙江省金华市兰溪市兰江街道创新大道1199号

IPC主分类号：

C30B11/00

IPC分类号：

C30B29/40 C30B28/14

代理机构：

北京鑫瑞森知识产权代理有限公司 11961

代理人：

马云华

法律状态：

授权

国省代码：

浙江省金华市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-02-14	授权	授权
2024-10-01	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):C30B 11/00申请日:20240809
2024-09-13	公开	公开

共 50 条

[1]

一种磷化铟半导体材料的合成工艺 [P].

卜俊鹏 ;

邵广育 ;

卜英瀚 ;

胡昌勇 .

中国专利 :CN118639309B ,2025-02-14

[2]

半导体材料磷化铟的快速合成 [P].

李伟 ;

关庆鑫 ;

李健 ;

郝海红 .

中国专利 :CN101698474A ,2010-04-28

[3]

一种磷化铟半导体材料的合成方法 [P].

王亚平 ;

姚建军 ;

白浩博 ;

于丰 ;

罗凯予 .

中国专利 :CN112680790A ,2021-04-20

[4]

一种磷化铟多晶的合成装置和合成工艺 [P].

陈佳薇 ;

范钦明 ;

王新峰 ;

陈政委 ;

赵德刚 ;

乔印彬 ;

张宇峰 .

中国专利 :CN117626436A ,2024-03-01

[5]

一种工业化生产高纯磷化铟多晶半导体材料的方法 [P].

黄小华 ;

陈龙 ;

陈瑜 ;

郭锐 .

中国专利 :CN114763625A ,2022-07-19

[6]

一种大尺寸高纯磷化铟多晶半导体材料合成用石英制品 [P].

黄小华 ;

陈龙 ;

刘志勇 .

中国专利 :CN223150695U ,2025-07-25

[7]

一种磷化铟多晶合成方法 [P].

乔印彬 ;

范钦明 ;

陈政委 ;

赵德刚 ;

张宇峰 .

中国专利 :CN117626437A ,2024-03-01

[8]

一种熔融法制备磷化铟晶体的合成工艺 [P].

黄小华 ;

聂林涛 .

中国专利 :CN117431629A ,2024-01-23

[9]

一种磷化铟半导体激光晶圆及磷化铟半导体激光芯片 [P].

李林 ;

董北平 ;

李鸿建 .

中国专利 :CN210838448U ,2020-06-23

[10]

一种磷化铟研磨工艺与磷化铟 [P].

邢峥 ;

李海淼 .

中国专利 :CN114536208A ,2022-05-27

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