半导体材料磷化铟的快速合成

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200910071104.0

申请日：

2009-11-03

公开(公告)号：

CN101698474A

公开(公告)日：

2010-04-28

发明(设计)人：

李伟关庆鑫李健郝海红

申请人：

申请人地址：

300071 天津市南开区卫津路94号南开大学化学学院

IPC主分类号：

C01B2508

IPC分类号：

代理机构：

代理人：

法律状态：

公开

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2010-04-28	公开	公开
2014-12-24	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101592566418 IPC(主分类):C01B 25/08 专利号:ZL2009100711040 申请日:20091103 授权公告日:20120104 终止日期:20131103
2012-01-04	授权	授权
2010-09-01	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101005218146 IPC(主分类):C01B 25/08 专利申请号:2009100711040 申请日:20091103

共 50 条

[1]

一种磷化铟半导体材料的合成工艺 [P].

卜俊鹏 ;

邵广育 ;

卜英瀚 ;

胡昌勇 .

中国专利 :CN118639309B ,2025-02-14

[2]

一种磷化铟半导体材料的合成工艺 [P].

卜俊鹏 ;

邵广育 ;

卜英瀚 ;

胡昌勇 .

中国专利 :CN118639309A ,2024-09-13

[3]

一种磷化铟半导体材料的合成方法 [P].

王亚平 ;

姚建军 ;

白浩博 ;

于丰 ;

罗凯予 .

中国专利 :CN112680790A ,2021-04-20

[4]

一种磷化铟半导体激光晶圆及磷化铟半导体激光芯片 [P].

李林 ;

董北平 ;

李鸿建 .

中国专利 :CN210838448U ,2020-06-23

[5]

磷化铟基板、半导体外延晶片以及磷化铟基板的制造方法 [P].

冈俊介 ;

栗田英树 ;

铃木健二 .

日本专利 :CN113207310B ,2024-11-15

[6]

磷化铟基板、半导体外延晶片以及磷化铟基板的制造方法 [P].

冈俊介 ;

栗田英树 ;

铃木健二 .

中国专利 :CN113207310A ,2021-08-03

[7]

磷化铟基板、半导体外延晶片以及磷化铟基板的制造方法 [P].

冈俊介 ;

栗田英树 ;

铃木健二 .

日本专利 :CN118127640A ,2024-06-04

[8]

磷化铟基板、半导体外延晶片以及磷化铟基板的制造方法 [P].

冈俊介 ;

栗田英树 ;

铃木健二 .

中国专利 :CN113207309A ,2021-08-03

[9]

磷化铟基板、半导体外延晶片以及磷化铟基板的制造方法 [P].

冈俊介 ;

栗田英树 ;

铃木健二 .

中国专利 :CN113207308A ,2021-08-03

[10]

一种大尺寸高纯磷化铟多晶半导体材料合成用石英制品 [P].

黄小华 ;

陈龙 ;

刘志勇 .

中国专利 :CN223150695U ,2025-07-25

← 1 2 3 4 5 →