学术探索
学术期刊
学术作者
新闻热点
数据分析
智能评审
磷化铟基板、半导体外延晶片以及磷化铟基板的制造方法
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN202080006105.1
申请日
:
2020-06-04
公开(公告)号
:
CN113207308A
公开(公告)日
:
2021-08-03
发明(设计)人
:
冈俊介
栗田英树
铃木健二
申请人
:
申请人地址
:
日本东京
IPC主分类号
:
H01L2102
IPC分类号
:
代理机构
:
北京品源专利代理有限公司 11332
代理人
:
吕琳;朴秀玉
法律状态
:
实质审查的生效
国省代码
:
引用
下载
收藏
法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2021-08-20
实质审查的生效
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/02 申请日:20200604
2021-08-03
公开
公开
共 50 条
[1]
磷化铟基板、半导体外延晶片以及磷化铟基板的制造方法
[P].
冈俊介
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
JX金属株式会社
JX金属株式会社
冈俊介
;
栗田英树
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
JX金属株式会社
JX金属株式会社
栗田英树
;
铃木健二
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
JX金属株式会社
JX金属株式会社
铃木健二
.
日本专利
:CN113207310B
,2024-11-15
[2]
磷化铟基板、半导体外延晶片以及磷化铟基板的制造方法
[P].
冈俊介
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
冈俊介
;
栗田英树
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
栗田英树
;
铃木健二
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
铃木健二
.
中国专利
:CN113207310A
,2021-08-03
[3]
磷化铟基板、半导体外延晶片以及磷化铟基板的制造方法
[P].
冈俊介
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
JX金属株式会社
JX金属株式会社
冈俊介
;
栗田英树
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
JX金属株式会社
JX金属株式会社
栗田英树
;
铃木健二
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
JX金属株式会社
JX金属株式会社
铃木健二
.
日本专利
:CN118127640A
,2024-06-04
[4]
磷化铟基板、半导体外延晶片以及磷化铟基板的制造方法
[P].
冈俊介
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
冈俊介
;
栗田英树
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
栗田英树
;
铃木健二
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
铃木健二
.
中国专利
:CN113207309A
,2021-08-03
[5]
磷化铟基板和半导体外延晶片
[P].
冈俊介
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
JX金属株式会社
JX金属株式会社
冈俊介
;
山岸航大
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
JX金属株式会社
JX金属株式会社
山岸航大
;
铃木健二
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
JX金属株式会社
JX金属株式会社
铃木健二
.
日本专利
:CN120322593A
,2025-07-15
[6]
磷化铟基板的制造方法、外延晶片的制造方法、磷化铟基板及外延晶片
[P].
冲田恭子
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
冲田恭子
.
中国专利
:CN102187020A
,2011-09-14
[7]
磷化铟基板以及磷化铟基板的制造方法
[P].
井谷贤哉
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
JX金属株式会社
JX金属株式会社
井谷贤哉
;
栗田英树
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
JX金属株式会社
JX金属株式会社
栗田英树
;
林英昭
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
JX金属株式会社
JX金属株式会社
林英昭
.
日本专利
:CN113692639B
,2025-02-11
[8]
磷化铟基板以及磷化铟基板的制造方法
[P].
井谷贤哉
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
井谷贤哉
;
栗田英树
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
栗田英树
;
林英昭
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
林英昭
.
中国专利
:CN113692639A
,2021-11-23
[9]
磷化铟基板以及磷化铟基板的制造方法
[P].
井谷贤哉
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
井谷贤哉
;
栗田英树
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
栗田英树
;
林英昭
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
林英昭
.
中国专利
:CN113646873A
,2021-11-12
[10]
磷化铟基板、磷化铟单晶及其制造方法
[P].
川瀬智博
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
川瀬智博
.
中国专利
:CN1784514A
,2006-06-07
←
1
2
3
4
5
→