磷化铟基板、半导体外延晶片以及磷化铟基板的制造方法

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专利类型
发明
申请号
CN202080006105.1
申请日
2020-06-04
公开(公告)号
CN113207308A
公开(公告)日
2021-08-03
发明(设计)人
冈俊介 栗田英树 铃木健二
申请人
申请人地址
日本东京
IPC主分类号
H01L2102
IPC分类号
代理机构
北京品源专利代理有限公司 11332
代理人
吕琳;朴秀玉
法律状态
实质审查的生效
国省代码
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共 50 条
[1]
磷化铟基板、半导体外延晶片以及磷化铟基板的制造方法 [P]. 
冈俊介 ;
栗田英树 ;
铃木健二 .
日本专利 :CN113207310B ,2024-11-15
[2]
磷化铟基板、半导体外延晶片以及磷化铟基板的制造方法 [P]. 
冈俊介 ;
栗田英树 ;
铃木健二 .
中国专利 :CN113207310A ,2021-08-03
[3]
磷化铟基板、半导体外延晶片以及磷化铟基板的制造方法 [P]. 
冈俊介 ;
栗田英树 ;
铃木健二 .
日本专利 :CN118127640A ,2024-06-04
[4]
磷化铟基板、半导体外延晶片以及磷化铟基板的制造方法 [P]. 
冈俊介 ;
栗田英树 ;
铃木健二 .
中国专利 :CN113207309A ,2021-08-03
[5]
磷化铟基板和半导体外延晶片 [P]. 
冈俊介 ;
山岸航大 ;
铃木健二 .
日本专利 :CN120322593A ,2025-07-15
[6]
磷化铟基板的制造方法、外延晶片的制造方法、磷化铟基板及外延晶片 [P]. 
冲田恭子 .
中国专利 :CN102187020A ,2011-09-14
[7]
磷化铟基板以及磷化铟基板的制造方法 [P]. 
井谷贤哉 ;
栗田英树 ;
林英昭 .
日本专利 :CN113692639B ,2025-02-11
[8]
磷化铟基板以及磷化铟基板的制造方法 [P]. 
井谷贤哉 ;
栗田英树 ;
林英昭 .
中国专利 :CN113692639A ,2021-11-23
[9]
磷化铟基板以及磷化铟基板的制造方法 [P]. 
井谷贤哉 ;
栗田英树 ;
林英昭 .
中国专利 :CN113646873A ,2021-11-12
[10]
磷化铟基板、磷化铟单晶及其制造方法 [P]. 
川瀬智博 .
中国专利 :CN1784514A ,2006-06-07