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磷化铟基板和半导体外延晶片

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202480002602.2
申请日：
2024-06-12
公开(公告)号：
CN120322593A
公开(公告)日：
2025-07-15
发明(设计)人：
冈俊介 山岸航大 铃木健二
申请人：
JX金属株式会社
申请人地址：
日本
IPC主分类号：
C30B29/40
IPC分类号：
H01L21/304 H01L21/306
代理机构：
北京品源专利代理有限公司 11332
代理人：
吕琳;朴秀玉
法律状态：
实质审查的生效
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2025-08-01 实质审查的生效 实质审查的生效IPC(主分类):C30B 29/40申请日:20240612
2025-07-15 公开 公开
共 50 条
[1]
磷化铟基板、半导体外延晶片以及磷化铟基板的制造方法 [P]. 
冈俊介 ;
栗田英树 ;
铃木健二 .
中国专利 :CN113207309A ,2021-08-03
[2]
磷化铟基板、半导体外延晶片以及磷化铟基板的制造方法 [P]. 
冈俊介 ;
栗田英树 ;
铃木健二 .
日本专利 :CN113207310B ,2024-11-15
[3]
磷化铟基板、半导体外延晶片以及磷化铟基板的制造方法 [P]. 
冈俊介 ;
栗田英树 ;
铃木健二 .
中国专利 :CN113207310A ,2021-08-03
[4]
磷化铟基板、半导体外延晶片以及磷化铟基板的制造方法 [P]. 
冈俊介 ;
栗田英树 ;
铃木健二 .
日本专利 :CN118127640A ,2024-06-04
[5]
磷化铟基板、半导体外延晶片以及磷化铟基板的制造方法 [P]. 
冈俊介 ;
栗田英树 ;
铃木健二 .
中国专利 :CN113207308A ,2021-08-03
[6]
半导体外延晶片 [P]. 
自见博志 ;
那须悠一 ;
增田刚 .
中国专利 :CN1762046A ,2006-04-19
[7]
用于测量半导体外延晶片耐受电压的方法和半导体外延晶片 [P]. 
秋田胜史 ;
山下正史 ;
木山诚 .
中国专利 :CN1547767A ,2004-11-17
[8]
磷化铟基板的制造方法、外延晶片的制造方法、磷化铟基板及外延晶片 [P]. 
冲田恭子 .
中国专利 :CN102187020A ,2011-09-14
[9]
半导体外延晶片及其制造方法 [P]. 
铃木阳洋 ;
门野武 ;
广濑谅 .
日本专利 :CN113454756B ,2024-03-15
[10]
半导体外延晶片及其制造方法 [P]. 
铃木阳洋 ;
门野武 ;
广濑谅 .
中国专利 :CN113454756A ,2021-09-28
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