半导体外延晶片

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200480007423.0

申请日：

2004-03-25

公开(公告)号：

CN1762046A

公开(公告)日：

2006-04-19

发明(设计)人：

自见博志那须悠一增田刚

申请人：

申请人地址：

日本神奈川县

IPC主分类号：

H01L21322

IPC分类号：

H01L2120

代理机构：

中科专利商标代理有限责任公司

代理人：

刘建

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2009-05-06	授权	授权
2006-06-07	实质审查的生效	实质审查的生效
2014-05-21	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101582286457 IPC(主分类):H01L 21/322 专利号:ZL2004800074230 申请日:20040325 授权公告日:20090506 终止日期:20130325
2009-05-20	专利权人的姓名或者名称、地址的变更	专利权人的姓名或者名称、地址的变更变更事项:专利权人变更前:小松电子金属股份有限公司变更后:胜高科技株式会社变更事项:地址变更前:日本神奈川县变更后:日本国长崎县
2006-04-19	公开	公开

共 50 条

[1]

用于测量半导体外延晶片耐受电压的方法和半导体外延晶片 [P].

秋田胜史 ;

山下正史 ;

木山诚 .

中国专利 :CN1547767A ,2004-11-17

[2]

半导体外延晶片及其制造方法 [P].

铃木阳洋 ;

门野武 ;

广濑谅 .

日本专利 :CN113454756B ,2024-03-15

[3]

半导体外延晶片及其制造方法 [P].

铃木阳洋 ;

门野武 ;

广濑谅 .

中国专利 :CN113454756A ,2021-09-28

[4]

半导体外延晶片及其制造方法 [P].

佐藤薰由 ;

铃木良治 .

中国专利 :CN1941286A ,2007-04-04

[5]

半导体外延晶片的制造方法 [P].

广濑谅 .

中国专利 :CN110223907A ,2019-09-10

[6]

半导体外延晶片及其制造方法、半导体元件 [P].

清泽努 ;

大冈笃志 .

中国专利 :CN111725295A ,2020-09-29

[7]

半导体外延晶片及其制造方法、半导体元件 [P].

清泽努 ;

大冈笃志 .

日本专利 :CN111725295B ,2025-07-25

[8]

半导体外延晶片的制造方法、半导体外延晶片以及固体摄像元件的制造方法 [P].

门野武 ;

栗田一成 .

中国专利 :CN104781919A ,2015-07-15

[9]

半导体外延晶片的制造方法、半导体外延晶片、以及固体摄像元件的制造方法 [P].

奥山亮辅 .

中国专利 :CN105814671B ,2016-07-27

[10]

半导体外延晶片的制造方法、半导体外延晶片及固体摄像元件的制造方法 [P].

门野武 ;

栗田一成 .

中国专利 :CN103534791A ,2014-01-22

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