共 50 条
[1]
[2]
[3]
[4]
[5]
[6]
[7]
[8]
[9]
[10]
半导体外延晶片及其制造方法、半导体元件
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202010137416.3
申请日：
2020-03-02
公开(公告)号：
CN111725295B
公开(公告)日：
2025-07-25
发明(设计)人：
清泽努
大冈笃志
申请人：
松下知识产权经营株式会社
申请人地址：
日本大阪府
IPC主分类号：
H10D62/10
IPC分类号：
H10D30/66
H01L21/04
C30B29/36
代理机构：
中科专利商标代理有限责任公司 11021
代理人：
齐秀凤
法律状态：
授权
国省代码：
引用
下载
收藏
法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2025-07-25 | 授权 | 授权 |