半导体外延晶片、半导体元件以及半导体元件的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201810164543.5

申请日：

2018-02-27

公开(公告)号：

CN108538915A

公开(公告)日：

2018-09-14

发明(设计)人：

清泽努

申请人：

申请人地址：

日本国大阪府

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

H01L2910 H01L2936 H01L21336

代理机构：

中科专利商标代理有限责任公司 11021

代理人：

齐秀凤

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-09-14	公开	公开
2020-01-03	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/78 申请日:20180227

共 50 条

[1]

半导体外延晶片及其制造方法、半导体元件 [P].

清泽努 ;

大冈笃志 .

中国专利 :CN111725295A ,2020-09-29

[2]

半导体外延晶片及其制造方法、半导体元件 [P].

清泽努 ;

大冈笃志 .

日本专利 :CN111725295B ,2025-07-25

[3]

半导体外延晶片的制造方法、半导体外延晶片以及固体摄像元件的制造方法 [P].

门野武 ;

栗田一成 .

中国专利 :CN104781919A ,2015-07-15

[4]

半导体外延晶片的制造方法、半导体外延晶片、以及固体摄像元件的制造方法 [P].

奥山亮辅 .

中国专利 :CN105814671B ,2016-07-27

[5]

半导体外延晶片的制造方法、半导体外延晶片以及固体摄像元件的制造方法 [P].

门野武 ;

栗田一成 .

中国专利 :CN104823269A ,2015-08-05

[6]

半导体外延晶片的制造方法、半导体外延晶片以及固体摄像元件的制造方法 [P].

门野武 ;

栗田一成 .

中国专利 :CN104781918A ,2015-07-15

[7]

半导体外延晶片的制造方法、半导体外延晶片、以及固体摄像元件的制造方法 [P].

奥山亮辅 .

中国专利 :CN107452603A ,2017-12-08

[8]

半导体元件、半导体晶片以及制造半导体元件的方法 [P].

林孟汉 ;

黄家恩 .

中国专利 :CN115497953A ,2022-12-20

[9]

半导体外延晶片的制造方法、半导体外延晶片及固体摄像元件的制造方法 [P].

门野武 ;

栗田一成 .

中国专利 :CN103534791A ,2014-01-22

[10]

外延晶片、半导体元件、外延晶片的制造方法、以及半导体元件的制造方法 [P].

佐藤宪 ;

鹿内洋志 ;

后藤博一 ;

篠宫胜 ;

土屋庆太郎 ;

萩本和德 .

中国专利 :CN107004579B ,2017-08-01

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