磷化铟基板以及磷化铟基板的制造方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN202080025487.2
申请日
2020-05-26
公开(公告)号
CN113692639B
公开(公告)日
2025-02-11
发明(设计)人
井谷贤哉 栗田英树 林英昭
申请人
JX金属株式会社
申请人地址
日本东京
IPC主分类号
H01L21/304
IPC分类号
H01L21/306 C30B29/40
代理机构
北京品源专利代理有限公司 11332
代理人
吕琳;朴秀玉
法律状态
授权
国省代码
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共 50 条
[1]
磷化铟基板以及磷化铟基板的制造方法 [P]. 
井谷贤哉 ;
栗田英树 ;
林英昭 .
中国专利 :CN113692639A ,2021-11-23
[2]
磷化铟基板以及磷化铟基板的制造方法 [P]. 
井谷贤哉 ;
栗田英树 ;
林英昭 .
中国专利 :CN113646873A ,2021-11-12
[3]
磷化铟基板、磷化铟单晶及其制造方法 [P]. 
川瀬智博 .
中国专利 :CN1784514A ,2006-06-07
[4]
磷化铟基板 [P]. 
冈俊介 ;
铃木健二 ;
林英昭 .
中国专利 :CN113646896A ,2021-11-12
[5]
磷化铟基板 [P]. 
冈俊介 ;
铃木健二 ;
林英昭 .
日本专利 :CN113646896B ,2024-06-14
[6]
磷化铟基板、半导体外延晶片以及磷化铟基板的制造方法 [P]. 
冈俊介 ;
栗田英树 ;
铃木健二 .
日本专利 :CN113207310B ,2024-11-15
[7]
磷化铟基板、半导体外延晶片以及磷化铟基板的制造方法 [P]. 
冈俊介 ;
栗田英树 ;
铃木健二 .
中国专利 :CN113207310A ,2021-08-03
[8]
磷化铟基板、半导体外延晶片以及磷化铟基板的制造方法 [P]. 
冈俊介 ;
栗田英树 ;
铃木健二 .
日本专利 :CN118127640A ,2024-06-04
[9]
磷化铟基板、半导体外延晶片以及磷化铟基板的制造方法 [P]. 
冈俊介 ;
栗田英树 ;
铃木健二 .
中国专利 :CN113207309A ,2021-08-03
[10]
磷化铟基板、半导体外延晶片以及磷化铟基板的制造方法 [P]. 
冈俊介 ;
栗田英树 ;
铃木健二 .
中国专利 :CN113207308A ,2021-08-03