IPC分类号:
H01L21/306
C30B29/40
共 50 条
[4]
磷化铟基板
[P].
中国专利 :CN113646896A ,2021-11-12 [5]
磷化铟基板
[P].
冈俊介
论文数: 0 引用数: 0
h-index: 0
机构:
JX金属株式会社
JX金属株式会社
冈俊介
;
铃木健二
论文数: 0 引用数: 0
h-index: 0
机构:
JX金属株式会社
JX金属株式会社
铃木健二
;
林英昭
论文数: 0 引用数: 0
h-index: 0
机构:
JX金属株式会社
JX金属株式会社
林英昭
.
日本专利 :CN113646896B ,2024-06-14 [6]
磷化铟基板、半导体外延晶片以及磷化铟基板的制造方法
[P].
冈俊介
论文数: 0 引用数: 0
h-index: 0
机构:
JX金属株式会社
JX金属株式会社
冈俊介
;
栗田英树
论文数: 0 引用数: 0
h-index: 0
机构:
JX金属株式会社
JX金属株式会社
栗田英树
;
铃木健二
论文数: 0 引用数: 0
h-index: 0
机构:
JX金属株式会社
JX金属株式会社
铃木健二
.
日本专利 :CN113207310B ,2024-11-15 [8]
磷化铟基板、半导体外延晶片以及磷化铟基板的制造方法
[P].
冈俊介
论文数: 0 引用数: 0
h-index: 0
机构:
JX金属株式会社
JX金属株式会社
冈俊介
;
栗田英树
论文数: 0 引用数: 0
h-index: 0
机构:
JX金属株式会社
JX金属株式会社
栗田英树
;
铃木健二
论文数: 0 引用数: 0
h-index: 0
机构:
JX金属株式会社
JX金属株式会社
铃木健二
.
日本专利 :CN118127640A ,2024-06-04