一种磷化铟半导体材料的合成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202011419354.1

申请日：

2020-12-07

公开(公告)号：

CN112680790A

公开(公告)日：

2021-04-20

发明(设计)人：

王亚平姚建军白浩博于丰罗凯予

申请人：

申请人地址：

315300 浙江省宁波市慈溪高新技术产业开发区新兴一路1号3032室

IPC主分类号：

C30B2802

IPC分类号：

C30B2940 B22F908

代理机构：

南京常青藤知识产权代理有限公司 32286

代理人：

金迪

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-04-20	公开	公开
2021-05-07	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C30B 28/02 申请日:20201207

共 50 条

[1]

半导体材料磷化铟的快速合成 [P].

李伟 ;

关庆鑫 ;

李健 ;

郝海红 .

中国专利 :CN101698474A ,2010-04-28

[2]

一种磷化铟半导体材料的合成工艺 [P].

卜俊鹏 ;

邵广育 ;

卜英瀚 ;

胡昌勇 .

中国专利 :CN118639309B ,2025-02-14

[3]

一种磷化铟半导体材料的合成工艺 [P].

卜俊鹏 ;

邵广育 ;

卜英瀚 ;

胡昌勇 .

中国专利 :CN118639309A ,2024-09-13

[4]

一种磷化铟的合成方法 [P].

陈伟杰 ;

周铁军 ;

齐正阳 .

中国专利 :CN115537921A ,2022-12-30

[5]

一种磷化铟多晶合成方法 [P].

乔印彬 ;

范钦明 ;

陈政委 ;

赵德刚 ;

张宇峰 .

中国专利 :CN117626437A ,2024-03-01

[6]

一种磷化铟半导体的加工方法及装置 [P].

王书杰 ;

孙聂枫 ;

李贺斌 ;

史艳磊 ;

邵会民 ;

李晓岚 ;

王阳 .

中国专利 :CN118219445A ,2024-06-21

[7]

一种磷化铟半导体激光晶圆及磷化铟半导体激光芯片 [P].

李林 ;

董北平 ;

李鸿建 .

中国专利 :CN210838448U ,2020-06-23

[8]

一种利用半导体磷化铟回收磷和铟的装置及方法 [P].

王书杰 ;

高琦 ;

顾占彪 ;

孙聂枫 ;

王阳 .

中国专利 :CN119218945A ,2024-12-31

[9]

一种大尺寸高纯磷化铟多晶半导体材料合成用石英制品 [P].

黄小华 ;

陈龙 ;

刘志勇 .

中国专利 :CN223150695U ,2025-07-25

[10]

一种工业化生产高纯磷化铟多晶半导体材料的方法 [P].

黄小华 ;

陈龙 ;

陈瑜 ;

郭锐 .

中国专利 :CN114763625A ,2022-07-19

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