一种磷化铟的合成方法

被引：0

申请号：

CN202211301629.0

申请日：

2022-10-24

公开(公告)号：

CN115537921A

公开(公告)日：

2022-12-30

发明(设计)人：

陈伟杰周铁军齐正阳

申请人：

申请人地址：

511517 广东省清远市高新区创兴三路16号A车间

IPC主分类号：

C30B2808

IPC分类号：

C30B2940 C23C1812

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司 11227

代理人：

赵青朵

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2023-01-20	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C30B 28/08 申请日:20221024
2022-12-30	公开	公开

共 50 条

[1]

一种磷化铟多晶的合成装置和合成工艺 [P].

陈佳薇 ;

范钦明 ;

王新峰 ;

陈政委 ;

赵德刚 ;

乔印彬 ;

张宇峰 .

中国专利 :CN117626436A ,2024-03-01

[2]

一种磷化铟多晶合成方法 [P].

乔印彬 ;

范钦明 ;

陈政委 ;

赵德刚 ;

张宇峰 .

中国专利 :CN117626437A ,2024-03-01

[3]

一种熔融法制备磷化铟晶体的合成工艺 [P].

黄小华 ;

聂林涛 .

中国专利 :CN117431629A ,2024-01-23

[4]

一种磷化铟半导体材料的合成方法 [P].

王亚平 ;

姚建军 ;

白浩博 ;

于丰 ;

罗凯予 .

中国专利 :CN112680790A ,2021-04-20

[5]

一种磷化铟的合成方法及其合成装置 [P].

段满龙 ;

董志远 ;

赵有文 ;

杨俊 .

中国专利 :CN107937984A ,2018-04-20

[6]

一种磷化铟多晶高压合成炉 [P].

袁韶阳 ;

冯佳峰 ;

于会永 ;

赵中阳 ;

赵春锋 ;

张艳辉 .

中国专利 :CN222758370U ,2025-04-15

[7]

一种磷化铟合成与VGF晶体制备的装置及方法 [P].

王书杰 ;

孙聂枫 ;

史艳磊 ;

刘峥 ;

邵会民 ;

党冀萍 ;

徐森锋 ;

姜剑 ;

李晓岚 ;

王阳 ;

张晓丹 ;

刘惠生 .

中国专利 :CN115198369B ,2024-06-11

[8]

一种利用磷化铟合成产物进行磷化铟的化学机械抛光装置及方法 [P].

王书杰 ;

孙聂枫 ;

顾占彪 ;

李贺斌 ;

李晓岚 ;

王阳 ;

史艳磊 ;

邵会民 .

中国专利 :CN118305722A ,2024-07-09

[9]

一种磷化铟半导体材料的合成工艺 [P].

卜俊鹏 ;

邵广育 ;

卜英瀚 ;

胡昌勇 .

中国专利 :CN118639309B ,2025-02-14

[10]

一种磷化铟半导体材料的合成工艺 [P].

卜俊鹏 ;

邵广育 ;

卜英瀚 ;

胡昌勇 .

中国专利 :CN118639309A ,2024-09-13

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