一种磷化铟半导体激光晶圆及磷化铟半导体激光芯片

被引:0
专利类型
实用新型
申请号
CN201921656468.0
申请日
2019-09-30
公开(公告)号
CN210838448U
公开(公告)日
2020-06-23
发明(设计)人
李林 董北平 李鸿建
申请人
申请人地址
430223 湖北省武汉市东湖新技术开发区华中科技大学产业园正源光子产业园内2幢1层1-5添加到日历号
IPC主分类号
H01S5223
IPC分类号
代理机构
北京汇泽知识产权代理有限公司 11228
代理人
代婵
法律状态
授权
国省代码
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共 50 条
[1]
半导体激光芯片一种半导体激光芯片 [P]. 
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方瑞禹 .
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半导体材料磷化铟的快速合成 [P]. 
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[5]
磷化铟基板、半导体外延晶片以及磷化铟基板的制造方法 [P]. 
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[6]
磷化铟基板、半导体外延晶片以及磷化铟基板的制造方法 [P]. 
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[7]
磷化铟基板、半导体外延晶片以及磷化铟基板的制造方法 [P]. 
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栗田英树 ;
铃木健二 .
中国专利 :CN113207309A ,2021-08-03
[8]
磷化铟基板、半导体外延晶片以及磷化铟基板的制造方法 [P]. 
冈俊介 ;
栗田英树 ;
铃木健二 .
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[9]
磷化铟基板和半导体外延晶片 [P]. 
冈俊介 ;
山岸航大 ;
铃木健二 .
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[10]
一种半导体晶片的抛光方法及磷化铟晶片 [P]. 
王亚坤 ;
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