一种半导体晶片的抛光方法及磷化铟晶片

被引：0

申请号：

CN202111592063.7

申请日：

2021-12-23

公开(公告)号：

CN114290229A

公开(公告)日：

2022-04-08

发明(设计)人：

王亚坤李海淼

申请人：

申请人地址：

101149 北京市通州区工业开发区东二街4号

IPC主分类号：

B24B3704

IPC分类号：

B24B3710 B24B37005 B24B4900 C09G102 H01L2102 H01L2920

代理机构：

代理人：

法律状态：

公开

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-04-08	公开	公开

共 50 条

[1]

磷化铟晶片清洗方法及半导体晶片清洗装置 [P].

王金灵 ;

周铁军 ;

田玉莲 ;

毕宏岩 .

中国专利 :CN117380617A ,2024-01-12

[2]

抛光半导体晶片的方法 [P].

A·海尔迈尔 ;

V·杜奇克 ;

L·米斯图尔 ;

T·奥尔布里希 ;

D·迈尔 ;

V·吴 .

中国专利 :CN111683792B ,2020-09-18

[3]

抛光垫及抛光半导体晶片的方法 [P].

青井裕美 ;

志保浩司 ;

长谷川亨 ;

川桥信夫 .

中国专利 :CN1569398A ,2005-01-26

[4]

一种磷化铟晶片的清洗方法 [P].

刘丽杰 ;

赵有文 ;

段满龙 ;

刘鹏 ;

王书怡 .

中国专利 :CN113690128A ,2021-11-23

[5]

抛光半导体晶片的方法 [P].

J·施万德纳 ;

T·布施哈尔特 ;

R·柯普尔特 .

中国专利 :CN102049723A ,2011-05-11

[6]

抛光半导体晶片的方法 [P].

K·勒特格 ;

A·海尔迈尔 ;

L·米斯图尔 ;

田畑诚 ;

V·杜奇克 ;

T·奥尔布里希 .

中国专利 :CN103846780A ,2014-06-11

[7]

半导体晶片用抛光垫的加工方法以及半导体晶片用抛光垫 [P].

志保浩司 ;

长谷川亨 ;

川桥信夫 .

中国专利 :CN1592955A ,2005-03-09

[8]

一种磷化铟半导体晶片边形观察装置 [P].

王嘉伟 ;

喻会平 ;

战泽兴 ;

黄飞 ;

徐荣荣 .

中国专利 :CN217084700U ,2022-07-29

[9]

一种半导体材料晶片的抛光方法 [P].

闫一方 .

中国专利 :CN110774165B ,2020-02-11

[10]

半导体晶片,抛光装置和方法 [P].

E·博维奥 ;

P·科尔贝利尼 ;

M·莫尔甘蒂 ;

G·内格里 ;

P·D·阿尔布雷克特 .

中国专利 :CN1461251A ,2003-12-10

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