接触孔的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201810330029.4

申请日：

2018-04-13

公开(公告)号：

CN108417533B

公开(公告)日：

2018-08-17

发明(设计)人：

叶婷龚昌鸿于明非朱绍佳

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区康桥东路298号1幢1060室

IPC主分类号：

H01L21768

IPC分类号：

代理机构：

上海浦一知识产权代理有限公司 31211

代理人：

郭四华

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-04-13	授权	授权
2018-09-11	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/768 申请日:20180413
2018-08-17	公开	公开

共 50 条

[1]

接触孔的制造方法 [P].

刘怡良 ;

李昱廷 ;

龚昌鸿 ;

陈建勋 .

中国专利 :CN108666263A ,2018-10-16

[2]

接触孔的制造方法 [P].

任玉萍 ;

郭振强 .

中国专利 :CN108400109A ,2018-08-14

[3]

接触孔的制造方法 [P].

尹振忠 ;

高宏 ;

肖泽龙 ;

田磊 .

中国专利 :CN118039563A ,2024-05-14

[4]

接触孔的制造方法 [P].

严磊 ;

孙淑苗 .

中国专利 :CN110211921A ,2019-09-06

[5]

接触孔的制造方法 [P].

龚昌鸿 ;

陈建勋 ;

朱绍佳 .

中国专利 :CN110148582A ,2019-08-20

[6]

接触孔的制造方法 [P].

单园园 ;

郭振强 .

中国专利 :CN108281380A ,2018-07-13

[7]

接触孔的制造方法 [P].

龚昌鸿 ;

陈建勋 ;

叶婷 .

中国专利 :CN110190024A ,2019-08-30

[8]

接触孔的制造方法 [P].

龚昌鸿 .

中国专利 :CN108470713A ,2018-08-31

[9]

功率MOS接触孔的制造方法 [P].

刘宪周 ;

张怡 .

中国专利 :CN102569180B ,2012-07-11

[10]

接触孔的制造方法 [P].

周珮玉 ;

蔡文洲 ;

廖俊雄 .

中国专利 :CN101154586A ,2008-04-02

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