室温下电沉积制备ZnO纳米针尖阵列的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200910043726.2

申请日：

2009-06-19

公开(公告)号：

CN101586249A

公开(公告)日：

2009-11-25

发明(设计)人：

赵世华王玲玲杨雷翟翔

申请人：

申请人地址：

410082湖南省长沙市岳麓区麓山南路2号

IPC主分类号：

C25D904

IPC分类号：

B82B300

代理机构：

长沙正奇专利事务所有限责任公司

代理人：

马强

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2010-01-20	实质审查的生效	实质审查的生效
2013-08-07	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101506122212 IPC(主分类):C25D 9/04 专利号:ZL2009100437262 申请日:20090619 授权公告日:20111228 终止日期:20120619
2009-11-25	公开	公开
2011-12-28	授权	授权

共 50 条

[1]

一种改进的制备ZnO纳米针尖阵列的新方法 [P].

赵世华 ;

王峥 ;

杜雪莲 ;

李莉 ;

吕广申 .

中国专利 :CN103397371A ,2013-11-20

[2]

一步电沉积制备ZnO纳米棒阵列的方法 [P].

任鑫 ;

赵彬 .

中国专利 :CN102691084A ,2012-09-26

[3]

电沉积法制备分级结构多孔阵列ZnO薄膜的方法 [P].

雷建飞 ;

李立本 ;

倪静 ;

杜凯 ;

魏荣慧 ;

毛爱霞 .

中国专利 :CN103060873A ,2013-04-24

[4]

一种ZnO纳米棒阵列的制备方法 [P].

王平 ;

宗小林 ;

吴晓玲 .

中国专利 :CN101550028A ,2009-10-07

[5]

一种制备ZnO纳米结构的电沉积方法 [P].

陈颉 ;

汤洋 .

中国专利 :CN103628107A ,2014-03-12

[6]

一种在室温下制备ZnO/Ag纳米复合材料的方法 [P].

陈洪亮 ;

王树林 ;

包保山 .

中国专利 :CN103341634A ,2013-10-09

[7]

一种室温电沉积制备多孔纳米氧化铝的方法 [P].

阚洪敏 ;

张宁 ;

王晓阳 ;

龙海波 ;

祝跚姍 .

中国专利 :CN104388998B ,2015-03-04

[8]

一种在柔性塑料衬底上电沉积制备ZnO纳米片薄膜的方法 [P].

张明喆 ;

肖传海 .

中国专利 :CN105714351B ,2016-06-29

[9]

一种有序金属纳米针尖阵列的制备方法 [P].

刘敏 ;

梁艳清 ;

陈国柱 .

中国专利 :CN112479154A ,2021-03-12

[10]

一种ZnO纳米结构的制备方法 [P].

白伟 ;

张秋香 ;

郁可 ;

朱自强 .

中国专利 :CN1884091A ,2006-12-27

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