一种在柔性塑料衬底上电沉积制备ZnO纳米片薄膜的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201610298064.3

申请日：

2016-05-09

公开(公告)号：

CN105714351B

公开(公告)日：

2016-06-29

发明(设计)人：

张明喆肖传海

申请人：

申请人地址：

130012 吉林省长春市前进大街2699号

IPC主分类号：

C25D904

IPC分类号：

C25D556

代理机构：

长春吉大专利代理有限责任公司 22201

代理人：

王恩远

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-04-20	授权	授权
2016-06-29	公开	公开
2016-07-27	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101671890854 IPC(主分类):C25D 9/04 专利申请号:2016102980643 申请日:20160509
2020-04-24	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):C25D 9/04 申请日:20160509 授权公告日:20180420 终止日期:20190509

共 50 条

[1]

一种在柔性塑料基底上低温电沉积制备有序ZnO纳米棒的方法 [P].

卢辉 ;

马金福 ;

马会军 ;

穆晓彪 ;

宁晓杰 .

中国专利 :CN108588778A ,2018-09-28

[2]

柔性衬底上生长ZnO纳米线阵列的方法 [P].

朱丽萍 ;

王雪涛 ;

叶志镇 .

中国专利 :CN101413141B ,2009-04-22

[3]

一种ZnO纳米片及其制备方法 [P].

杨为家 ;

刘俊杰 ;

刘铭全 ;

何鑫 ;

陈柏桦 ;

赵丽特 .

中国专利 :CN112142092A ,2020-12-29

[4]

一种在柔性衬底上沉积NO2气敏材料的高温制备方法 [P].

张超 ;

耿欣 ;

李嘉伟 ;

罗一凡 .

中国专利 :CN106383150A ,2017-02-08

[5]

室温下电沉积制备ZnO纳米针尖阵列的方法 [P].

赵世华 ;

王玲玲 ;

杨雷 ;

翟翔 .

中国专利 :CN101586249A ,2009-11-25

[6]

在GaAs衬底上制作p型掺杂ZnO纳米材料的方法 [P].

李晓莉 .

中国专利 :CN109778277A ,2019-05-21

[7]

在柔性衬底上沉积半导体薄膜用装置 [P].

李微 ;

李巍 ;

赵彦民 ;

冯金辉 ;

杨立 ;

乔在祥 ;

刘兴江 .

中国专利 :CN102477550B ,2012-05-30

[8]

一种柔性衬底上沉积半导体薄膜的方法 [P].

李微 ;

李巍 ;

赵彦民 ;

冯金辉 ;

杨立 ;

乔在祥 ;

刘兴江 .

中国专利 :CN102477549A ,2012-05-30

[9]

一种在柔性衬底上制备金属纳米结构的方法 [P].

金崇君 ;

郑超群 ;

刘文杰 .

中国专利 :CN108467011A ,2018-08-31

[10]

一种在柔性衬底上的薄膜晶体管的制备方法 [P].

韩德栋 ;

王薇 ;

蔡剑 ;

王亮亮 ;

耿友峰 ;

刘力锋 ;

王漪 ;

张盛东 ;

刘晓彦 ;

康晋锋 .

中国专利 :CN103515236A ,2014-01-15

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