在GaAs衬底上制作p型掺杂ZnO纳米材料的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201711120860.9

申请日：

2017-11-14

公开(公告)号：

CN109778277A

公开(公告)日：

2019-05-21

发明(设计)人：

李晓莉

申请人：

申请人地址：

116000 辽宁省大连市高新技术产业园区七贤岭火炬路35号

IPC主分类号：

C25D904

IPC分类号：

C25D554 C25D550 B82Y4000

代理机构：

大连大工智讯专利代理事务所(特殊普通合伙) 21244

代理人：

徐淑东;崔雪

法律状态：

发明专利申请公布后的撤回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-02-11	发明专利申请公布后的撤回	发明专利申请公布后的撤回 IPC(主分类):C25D 9/04 申请公布日:20190521
2019-06-14	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C25D 9/04 申请日:20171114
2019-05-21	公开	公开

共 50 条

[1]

p型掺杂ZnO纳米棒制作方法 [P].

李晓莉 .

中国专利 :CN107827144A ,2018-03-23

[2]

在GaAs衬底上制备金属纳米颗粒的方法 [P].

刘雯 ;

王晓东 ;

程凯芳 ;

马慧丽 ;

王晓峰 ;

徐锐 ;

杨富华 .

中国专利 :CN102433529A ,2012-05-02

[3]

一种Ag掺杂ZnO纳米气敏材料的制备方法 [P].

何丹农 ;

葛美英 ;

孙健武 ;

尹桂林 ;

金彩虹 .

中国专利 :CN106564929A ,2017-04-19

[4]

一种ZnO纳米材料以及合成ZnO纳米材料的方法 [P].

汤洋 ;

陈颉 ;

郭逦达 .

中国专利 :CN104746119A ,2015-07-01

[5]

柔性衬底上生长ZnO纳米线阵列的方法 [P].

朱丽萍 ;

王雪涛 ;

叶志镇 .

中国专利 :CN101413141B ,2009-04-22

[6]

一种Ga掺杂ZnO纳米材料的制备方法 [P].

顾有松 ;

邱英 ;

秦子 ;

张跃 .

中国专利 :CN102509648A ,2012-06-20

[7]

过渡金属元素掺杂的ZnO纳米阵列的制备方法及包括该纳米阵列的半导体器件 [P].

朱丽萍 ;

万尾甜 ;

杨美佳 ;

胡亮 ;

李亚光 ;

许鸿斌 ;

陈文丰 ;

文震 ;

周梦萦 ;

张翔宇 .

中国专利 :CN103147130B ,2013-06-12

[8]

一种在柔性塑料衬底上电沉积制备ZnO纳米片薄膜的方法 [P].

张明喆 ;

肖传海 .

中国专利 :CN105714351B ,2016-06-29

[9]

在GaAs衬底上生长InGaAs薄膜的方法 [P].

李国强 ;

高芳亮 .

中国专利 :CN102560634A ,2012-07-11

[10]

锡掺杂ZnO纳米晶的制备方法 [P].

贾晓华 ;

樊慧庆 .

中国专利 :CN102162128B ,2011-08-24

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