在GaAs衬底上制备金属纳米颗粒的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201110440640.0

申请日：

2011-12-26

公开(公告)号：

CN102433529A

公开(公告)日：

2012-05-02

发明(设计)人：

刘雯王晓东程凯芳马慧丽王晓峰徐锐杨富华

申请人：

申请人地址：

100083 北京市海淀区清华东路甲35号

IPC主分类号：

C23C1404

IPC分类号：

C23C1424

代理机构：

中科专利商标代理有限责任公司 11021

代理人：

周国城

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2012-06-27	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101272512820 IPC(主分类):C23C 14/04 专利申请号:2011104406400 申请日:20111226
2012-05-02	公开	公开
2014-08-06	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1603 号牌文件序号:101703519217 IPC(主分类):C23C 14/04 专利申请号:2011104406400 申请公布日:20120502

共 50 条

[1]

一种在石墨烯上制备纳米金属颗粒阵列的制备方法 [P].

李阿蕾 ;

费广涛 ;

欧阳浩淼 ;

高旭东 ;

易海丽 .

中国专利 :CN105063556B ,2015-11-18

[2]

在半导体衬底上制备量子环结构的方法 [P].

周慧英 ;

曲胜春 ;

金鹏 ;

徐波 ;

王赤云 ;

刘俊朋 ;

王占国 .

中国专利 :CN101241849B ,2008-08-13

[3]

在衬底上定位纳米颗粒的方法以及纳米颗粒阵列 [P].

R·L·桑德斯特伦 ;

C·B·穆拉伊 ;

C·T·布莱克 .

中国专利 :CN101055834A ,2007-10-17

[4]

一种金属纳米颗粒的制备及硼墨烯上负载的金属纳米颗粒 [P].

王昊晨 ;

赵祥云 ;

马志博 ;

戴东旭 .

中国专利 :CN115138854A ,2022-10-04

[5]

一种金属纳米颗粒的制备及硼墨烯上负载的金属纳米颗粒 [P].

王昊晨 ;

赵祥云 ;

马志博 ;

戴东旭 .

中国专利 :CN115138854B ,2024-02-13

[6]

金属纳米颗粒结构阵列及其制备方法 [P].

吴学忠 ;

董培涛 ;

孟选辉 ;

王朝光 ;

陈剑 ;

曾学盛 .

中国专利 :CN106365117A ,2017-02-01

[7]

在GaAs衬底上制作p型掺杂ZnO纳米材料的方法 [P].

李晓莉 .

中国专利 :CN109778277A ,2019-05-21

[8]

一种金属纳米颗粒阵列的大面积制备及柔性转移方法 [P].

方靖淮 ;

吴静 .

中国专利 :CN110589758A ,2019-12-20

[9]

金属纳米颗粒及制备所述金属纳米颗粒的方法 [P].

库尔比·辛格 ;

迈克尔·麦克阿尔杜夫 ;

D·杰拉德·马兰戈尼 .

中国专利 :CN111511484A ,2020-08-07

[10]

在半导体衬底上制备均匀有序量子结构的方法 [P].

周慧英 ;

曲胜春 ;

王占国 .

中国专利 :CN101211760A ,2008-07-02

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