在半导体衬底上制备量子环结构的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200710063706.2

申请日：

2007-02-07

公开(公告)号：

CN101241849B

公开(公告)日：

2008-08-13

发明(设计)人：

周慧英曲胜春金鹏徐波王赤云刘俊朋王占国

申请人：

申请人地址：

100083 北京市海淀区清华东路甲35号

IPC主分类号：

H01L2118

IPC分类号：

H01L21266 H01L21324 H01S500

代理机构：

中科专利商标代理有限责任公司 11021

代理人：

汤保平

法律状态：

授权

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2011-10-05	授权	授权
2008-08-13	公开	公开
2013-03-27	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101426319330 IPC(主分类):H01L 21/18 专利号:ZL2007100637062 申请日:20070207 授权公告日:20111005 终止日期:20120207
2008-10-08	实质审查的生效	实质审查的生效

共 50 条

[1]

在半导体衬底上制备有序砷化铟量子点的方法 [P].

周慧英 ;

曲胜春 ;

金鹏 ;

徐波 ;

王赤云 ;

刘俊朋 ;

王智杰 ;

王占国 .

中国专利 :CN101241850A ,2008-08-13

[2]

在半导体衬底上制备均匀有序量子结构的方法 [P].

周慧英 ;

曲胜春 ;

王占国 .

中国专利 :CN101211760A ,2008-07-02

[3]

在GaAs衬底上制备金属纳米颗粒的方法 [P].

刘雯 ;

王晓东 ;

程凯芳 ;

马慧丽 ;

王晓峰 ;

徐锐 ;

杨富华 .

中国专利 :CN102433529A ,2012-05-02

[4]

在半导体衬底上制作集成半导体元件的方法 [P].

P·N·斯塔夫里诺 ;

T·S·琼斯 ;

G·帕里 .

中国专利 :CN1331195C ,2005-05-18

[5]

在半导体衬底上生成接触的方法 [P].

于尔根·科勒 ;

托比亚斯·罗德 ;

彼得·格拉比茨 ;

于尔根·沃纳 .

中国专利 :CN102422430A ,2012-04-18

[6]

在异质衬底上制造半导体结构的方法 [P].

B·舒-金 ;

S·R·塔夫脱 ;

V·H·勒 ;

S·达斯古普塔 ;

S·H·H·宋 ;

S·K·加德纳 ;

M·V·梅茨 ;

M·拉多萨夫列维奇 ;

H·W·田 .

中国专利 :CN105745769A ,2016-07-06

[7]

半导体衬底的制备方法及半导体衬底 [P].

邱宇航 ;

周颖 ;

洪纪伦 ;

吴宗祐 ;

林宗贤 .

中国专利 :CN109326516A ,2019-02-12

[8]

半导体衬底及在半导体衬底上通过外延生长制造的半导体器件 [P].

橘浩一 ;

本乡智惠 ;

布上真也 ;

小野村正明 .

中国专利 :CN1741296A ,2006-03-01

[9]

在半导体衬底上制作交叉线的方法 [P].

贺晓彬 ;

杨涛 ;

刘金彪 ;

李亭亭 ;

唐波 ;

李俊峰 ;

罗军 .

中国专利 :CN114171668A ,2022-03-11

[10]

在半导体衬底上溅射保护涂层的方法 [P].

金智洙 ;

宋政 ;

严必明 ;

彼得·勒文哈德 .

中国专利 :CN1814857A ,2006-08-09

← 1 2 3 4 5 →